Взаимодействие плазменной струи с газовой средой и поверхностью

2. Зміст дисципліни

Лекція 1. Вступ. Характеристика дисципліни. Історія виникнення. Області застосування. Рекомендована література.

Лекція 2.  Класифікація впливу потоку часток на оточуюче середовище. Об’єкт вивчення. Взаємодія потоку часток з газовим середовищем. Взаємодія потоку часток з твердим тілом.

Лекція 3,4. Рух часток в газовому середовище. Загальні відомості про властивості газів. Переріз зіткнень нейтральних часток (випадок ідеального газу). Зіткнення заряджених часток в плазмі. Зміна швидкості та енергії при пружних зіткненнях часток.

Лекція 5,6.  Непружні зіткнення часток в плазмі. Взаємодія електронів та іонів з нейтральними частками. Збудження нейтральних часток при зіткненнях з електронами.Процеси перезарядки. Рекомбінаційні процеси в плазмі. Рівновага іонізації. 

Лекція 7.Хімічні процеси в плазмі газового розряду. Хімічний зв’язок та деякі уяви про кінетику хімічних реакцій. Механізм формування хімічно активної плазми.

Лекція 8,9. Технічні та технологічні застосування процесів взаємодії. Аналіз плазмохімічних процесів. Класифікація плазмохімічних процесів. Приклади застосування.

Лекція 10,11. Взаємодія потоку часток з твердим тілом. Класифікація. Сорбціонні явища. Час адсорбції. Агрегатний стан адсорбатів. Адсорбція часток на поверхні твердого тіла. Розчинність адсорбованих газів в твердих тілах. Ступені покриття поверхні.

Лекція 12. Конденсація, утворення зародків та зростання тонких плівок. Теорії зародкоутворення у тонких плівках. Капілярна модель. Критичний зародок. Швидкість зародкоутворення.

Лекція 13.14. Конденсація, утворення зародків та зростання тонких плівок. Утворення дефектів. Атомна модель. Стадії зростання плівок.

Лекція 15,16. Конденсація, утворення зародків та зростання тонких плівок. Утворення дефектів в процесі зростання.

Лекція 17,18. Особливості зростання монокристалічних плівок. Епітаксія. Умови зростання епітаксіальних плівок.

Лекція 19,20. Структури зростання. Структури тонкіх плівок, нанесених методами вакуумного термічного випарування.

Лекція 21,22. Структура зростання. Деяки можливості структури тонких плівок, одержаних в умовах іонного бомбардування. Особливості структури покриттів з нітриду титана одержаних методами КІБ та МРС. Структура та деяки властивості толстих конденсатів.

Лекція.23,24,25. Розпилення поверхні твердого тіла під впливом потоку прискорених часток. Коефіцієнт розпилення. Розпилення монокристалічних матеріалів. Моделі механізму іонного розпилення. Умови фокусування Сілсбі.

Лекція 26,27,28. Вплив потоку часток на морфологію та структуру поверхні твердого тіла. Поверхневі явища. Розпилення багатокомпонентних матеріалів.

Лекція 29,30. Проникнення часток потоку в поверхню твердого тіла. Іонна імплантація. Порушення структури поверхні при іоном бомбардуванні.