P-n (электронно-дырочный) переход. Номинальное напряжение стабилизации. Принцип усиления биполярного транзистора

Страницы работы

2 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Контрольные вопросы по первой лабе

1. р-п(электронно-дырочным) переходом называется переход между областями полупроводника с    электропроводностью р-типа(дырочной) и n-типа(электронной). Эти области создаются с использованием различных технологических  методов: легирования (диффузия атомов примесей из внешней среды при высокой температуре, ионное внедрение, вплавление примесей), а также эпитаксии (наращивания на поверхность кристалла пленки полупроводника с противоположным типом проводимости).

2. Напряжение на переходе называют прямым (прямое смещение, U>0), если плюс источника питания подключен к р-области, а минус - к n-области. При обратном напряжении (обратное смещение, U<0), минус источника питания подключен к р-области.

3. Наклон обратной ветви ВАХ германиевого диода более слабый, чем кремниевого. Это объясняется различиями в природе их обратного тока. Обратный ток кремниевого диода определяется в основном током генерации носителей в переходе и током утечки, а ток германиевого диода - тепловым током.

4.  После изменения напряжения генератора с прямого наобратное переходный процесс разделяется на две стадии: стадию высокой обратной проводимости и стадию восстановления обратного сопротивления. Обратный ток связан с движением избыточных неосновных носителей, накопленных в базе при протекании прямого тока. На первой стадии напряжение сохраняется прямым, так как в базе у границы перехода сохраняется избыточная концентрация неосновных носителей. Обратный ток при значениях напряжения больше значений прямого напряжения постоянен и имеет большое значение. На второй стадии ток обусловлен не только переходом оставшихся неосновных носителей, но и перезарядкой барьерной емкости. На стадии восстановления обратного сопротивления напряжение становится отрицательным, а обратный ток уменьшается.

Единственным параметром обратного тока является тепловой ток, который сильно зависит от температуры. Температурная зависимость теплового тока вызвана изменением концентрации неосновных носителей.

5.

6.   Графическое обозначение диода  

Диод Д9К - детектор в цепи АРУ приемников, видеодетектор, модулятор и преобразователь частоты в счетных схемах, германиевый.

Диод Д102 - для работы в видеоканалах телевизоров, в приемниках с частотной и амплитудной модуляцией, кремниевый.

Стабилитрон Д808 - для работы в схемах стабилизации напряжения, кремниевый.

Туннельный  диод  ГИ305Б  -  для  быстродействующих  вычислительных  я импульсных схем, германиевый.

Ответы на контрольные вопросы по второй лабе:

1.  Uст.ном. - номинальное напряжение стабилизации, 1ст.- номинальный ток стабилизации, при котором определяются значения параметров стабилитрона.  

Iст.мин.- номинальный ток стабилизации, значение тока на участке пробоя ВАХ стабилитрона, Iст.мах.- максимально допустимый ток стабилизации, т.е. наибольшее определяемое из максимально допустимой рассеиваемой мощности. Rcт. = Uст./Iст. - статическое сопротивление при заданном токе стабилизации, СД-емкость стабилитрона при заданном напряжении, коэффициент стабилизации.

2.   При изменении напряжения стабилизируемого источника нагрузочная линия смещается в ту или иную сторону параллельно самой себе. При этом напряжение на стабилитроне и на нагрузке изменяется на величину. И эта величина зависит от крутизны ВАХ стабилитрона на участке пробоя. И эта величина стремится к 0,то есть получается идеальная стабилизация напряжения на нагрузке.

Ответы на контрольные вопросы по 4-ой лабе:

  1. Объяснить принцип усиления биполярного транзистора. Схемы включения транзисторов разных типов (p-n-p и n-p-n).

Эффективное управление выходным током с помощью входного напряжения составляет основу принципа работы биполярного транзистора и позволяет использовать транзистор для усиления электрических сигналов.

а) Схема с общей базой; б) схема с общим эмиттером; в) схема с общим коллектором.

В схеме с общей базой входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора.

В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора.  

В схеме с общим коллектором входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.

  1. Показать на выходных характеристиках области режимов: активного, насыщения и отсечки.

Основным режимом является активный режим, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии, а коллекторный - в закрытом. Транзисторы, работающие в активном режиме, используются в усилительных схемах. Помимо активного, выделяют инверсный режим, при котором эмиттерный переход закрыт, а коллекторный - открыт, режим насыщения, при котором оба перехода открыты, и режим отсечки, при котором оба перехода закрыты.

  1. Объяснить входную характеристику транзистора. Объяснить зависимость входного тока от напряжения на коллекторе.

В схеме с общим эмиттером входным током является ток базы iБ, а выходным - ток коллектора iК, соответственно, входным напряжением является напряжение uБЭ, а выходным - напряжение uКЭ.

  1. Условное графическое и буквенное обозначение транзисторов p-n-p и n-p-n типов.

Похожие материалы

Информация о работе