Переключение из прямого направления в обратное. Пробой pn перехода, страница 2

Лавинный пробой.

 В сильном электрическом поле неосновной носитель заряда на длине свободного пробега может набрать энергию, достаточную для того, чтобы при соударении с решеткой создавать электронно-дырочную пару. Вновь образованные носители, разгоняясь в электрическом поле, сами принимают участие в дальнейшем образовании электронно-дырочных пар. Процесс нарастания числа носителей со временем носит лавинный характер, поэтому этот тип пробоя и называют лавинным.

 Лавинный пробой характеризуют коэффициентом лавинного умножения, для которого справедливо следующее соотношение:

 (78)

где J - обратный ток до умножения (равный сумме тока насыщения и генерационного), n - коэффициент, который зависит от материала и профиля легирования pn перехода, этот коэффициент может иметь значения от 2 до 6.

 Напряжение лавинного пробоя зависит от степени легирования p и n областей. Так, для резкого p⁺n перехода (p⁺ - означает сильное легирование p области) зависимость напряжения пробоя от степени легирования n области имеет вид:

 (78)

где Eg - ширина запрещенной зоны в эВ, N - концентрация примеси в слаболегированной области в см^-3.

 Соответствующая зависимость напряжения от степени легирования для резкого несимметричного перехода для pn переходов, изготовленных из разных материалов, показана на рис. 37.

Рис. 37. Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси для несимметричного ступенчатого перехода.

Туннельный пробой.

 Если p и n области сильно легированы, то ширина ОПЗ становится малой и за счет туннельного эффекта появляется конечная вероятность для электронов из валентной зоны проникнуть в зону проводимости, преодолев барьер, который возникает в сильном электрическом поле. Для туннельного эффекта характерно то, что электроны после преодоления энергии не изменяют своей энергии, следовательно для того, чтобы этот эффект имел место, электрическое поле должно быть настолько сильным, чтобы обеспечить такой наклон зон, при котором заполненные электронами уровни валентной зоны оказались напротив незаполненных энергетических уровней разрешенной зоны рис. 38. Пунктиром на рисунке показан потенциальный барьер, который должен преодолеть один из электронов.

 Поскольку туннельный механизм перехода носителей имеет место только при малой ширине ОПЗ, то для этого типа пробоя характерны невысокие пробивные напряжения. К отличительным особенностям туннельного пробоя следует также отнести сравнительно слабую зависимость от температуры напряжения пробоя.

Рис. 38. Энергетическая диаграмма, поясняющая возникновение свободных носителей заряда при туннельном переходе.

Тепловой пробой.

 При увеличении обратного напряжения увеличивается и мощность, рассеиваемая в переходе в виде тепла, поэтому для pn переходов со сравнительно высокими обратными токами возможен разогрев pn перехода, что, в свою очередь, приведет к увеличению обратного тока. Возрастание обратного тока приведет к дополнительному выделению тепла и, соответственно, дополнительному разогреву, что послужит причиной дальнейшего увеличения обратного тока. Таким образом, в pn переходе возникает положительная обратная связь, которая приводит к возникновению тепловой неустойчивости - тепловому пробою.

 Предположим, что мы снимаем ВАХ pn перехода, поддерживая постоянным значение выделяющейся в переходе мощности P = UI = const, соответствующей определенной температуре. На рис. 39 показаны соответствующие различной температуре обратные токи и гиперболические кривые, соответствующие постоянству выделяемой мощности, определяющей температуру перехода. Если соединить точки пересечения кривых, соответствующих одинаковой температуре, то получим обратную ветвь характеристики pn перехода в случае его теплового пробоя.

Рис. 39. Диаграмма, поясняющая формирование обратной ветви вольтамперной характеристики pn перехода при тепловом пробое.

 Как видно из рис. 39, при тепловом пробое на обратной характеристике pn перехода возникает участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. На этом участке имеет место возрастание тока при уменьшении напряжения (неустойчивость тока). Если не принять специальных мер для ограничения тока, то диод выходит из строя. Предпосылкой для возникновения теплового пробоя служат большие значения обратного тока, поэтому этот тип пробоя легче возникает в приборах, изготовленных на основе материалов с небольшой шириной запрещенной зоны. Так, например, в высоковольтных германиевых диодах он может иметь место уже при комнатных температурах. В диодах на основе Si и GaAs он может иметь место при высоких температурах, когда значения обратных токов становятся большими.