Исследование биполярного транзистора. Изучение принципа действия и исследование вольт-амперных характеристик биполярного транзистора (Лабораторная работа № 2), страница 2

1.3. По данным таблицы 2.1 построить семейство входных и проходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Примерный вид характеристик показан на рис. 2.4 (а,б).

1.4. Рассчитать значения статического и динамического входного сопротивления транзистора в заданной преподавателем точке входной характеристики транзистора по формулам

,                                              (2.1)

.                                           (2.2)

1.5. Рассчитать значения статического и динамического коэффициентов усиления транзистора по току в заданной преподавателем точке проходной характеристики транзистора по формулам

,                                              (2.3)

.                                            (2.4)

1.6. Снять семейство выходных характеристик транзистора I_к=f(U_кэ) при I_б =const. Для этого с помощью регулятора напряжения источника Е₁ установить и, поддерживая в течении опыта постоянным значение тока базы сначала I_б =0 мА, затем I_б =50 мА, I_б =100 мА и I_б =150 мА, снять зависимость тока коллектора I_к от напряжения между коллектором и эмиттером U_кэ, меняя последнее с помощью регулятора напряжения источника Е₂. Результаты измерений свести в таблицу 2.2.

Таблица 2.2

Uкэ, В	Iк, мА
	Iб = 0 мкА	Iб = 50 мкА	Iб = 100 мкА	Iб = 150 мкА
0
0,5
1
2
3
4
5
6

1.7. По данным таблицы 2.2 построить графики семейства выходных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Примерный вид характеристик приведен на рис. 2.4, в.

2. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.

2.1. Собрать схему, согласно рис. 2.7.

 

2.2. Снять входную I_э=f(U_бэ) при U_кб=const и проходную I_к=f(I_э) при U_кб=const характеристики транзистора. Для этого установить с помощью регулятора напряжения источника Е₂ напряжение между коллектором и базой U_кб = 0, изменяя ток эмиттера I_э с помощью регулятора источника напряжения Е₁ зафиксировать значения напряжения между базой и эмиттером U_бэ и тока коллектора I_к. Опыт повторить при U_кб = 3 В и U_кб = 6 В. Во время опыта U_кб всякий раз поддерживать неизменным. Результаты измерений свести в таблицу 2.3.

Таблица 2.3

Iэ, мА	Uкб = 0 В		Uкб = 3 В		Uкб = 6 В
	Uбэ, мВ	Iк, мА	Uбэ, мВ	Iк, мА	Uбэ, мВ	Iк, мА
0
2,5
5,0
7,5
10,0

2.3. По данным таблицы 2.3 построить семейство входных и проходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой. Примерный вид характеристик показан на рис. 2.5 (а,б).

2.4. Рассчитать значения статического и динамического входного сопротивления транзистора в заданной преподавателем точке входной характеристики транзистора по формулам

,                                              (2.5)

.                                           (2.6)

2.5. Рассчитать значения статического и динамического коэффициентов усиления транзистора по току в заданной преподавателем точке проходной характеристики транзистора по формулам

,                                              (2.7)

.                                            (2.8)

2.6. Снять семейство выходных характеристик транзистора I_к=f(U_кб) при I_э =const. Для этого с помощью регулятора напряжения источника Е₁ установить и, поддерживая в течении опыта постоянным значение тока эмиттера I_э, снять зависимость тока коллектора I_к от напряжения между коллектором и базой U_кб, меняя последнее с помощью регулятора напряжения источника Е₂. Результаты измерений свести в таблицу 2.4.

2.7. По данным таблицы 2.4 построить графики семейства выходных характеристик биполярного транзистора по схеме с общей базой. Примерный вид характеристик приведен на рис. 2.5, в.

Таблица 2.4

Uкб, В	Iк, мА
	Iэ = 0 мА	Iэ = 1 мА	Iэ = 2 мА	Iэ = 3 мА	Iэ = 4 мА	Iэ = 5 мА
0
2
4
6
8
10

Содержание отчета

1. Принципиальные электрические схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером и общей базой.

2. Таблицы с результатами измерений.

3. Вольт-амперные характеристики исследованного биполярного транзистора в схемах с общим эмиттером и общей базой.

4. Результаты расчета статического и динамического входного сопротивления транзистора и статического и динамического коэффициентов усиления транзистора по току в схемах с общим эмиттером и общей базой.