Физика \ Физика электронных и ионных процессов

Фримановские ионные источники. Фримановские источники в лабораторных разделителях изотопов и первых имплантерах, страница 9

Фримановские ионные источники

221

титься к превосходному обзору Фримана [18]. Подробности, касающиеся небольшого числа материалов, особенно интересных для полупроводниковой ионной имплантации, представлены в табл. 9.1.

Таблица 9.1.

Рабочие материалы для полупроводниковой ионной имплантации

Элемент	Рабочий материал	Температура (°С) для давления пара 10^-2 мм рт. ст.	Примечания
Сурьма	Элемент	533	Токсичен
	Sb₂0₃	450	»
	SbH₃	Газ	Очень токсичен
	SbF₃	Твердое состояние при 760 мм рт. ст. и 319°С	Токсичен
	SbF₅	Жидкость при 760 мм рт. ст. и 149 °С	»
Аргон	Элемент	Газ	—
Мышьяк	»	247	Токсичен
	AsH₃	Газ	Очень токсичен
	AsF₃	Жидкость при 100 мм рт. ст. и 20 °С	Токсичен
	AsF₅	Газ	»
	AsCl₃	Жидкость при 760 мм рт. ст. и 130 °С	»
Бор	Элемент	2027	Требуется очень высокая температура
	BF₃	Газ	Предпочтительный материал
	BC1₃	Жидкость при 760 мм рт. ст. и 13 °С	Проблема дезактивации
	B₂H₆	Газ	Самовоспламеняется
Кадмий	Элемент	265	Удобен
Кислород	»	Газ	Сильное окисление нити
	CO₂	Газ	Предпочтительный материал
Фосфор	Элемент (красный)	260	Удобен
	PH₃	Газ	Очень токсичен
	PF₃	»
	PF₅	»
	PC1₃	Жидкость при 60 мм рт. ст. и 10 °С	Проблема дезактивации

222

Глава 9

Продолжение таблицы 9.1

Элемент	Рабочий материал	Температура (°С) для давления пара 10^-2мм рт.ст.	Примечания
Селен	Элемент	243	Удобен
Селен	H₂Se	Газ	Очень токсичен
Кремний	Элемент	1632	Требуется очень высокая температура
	SiH₄	Газ	Предпочтительный материал
	SiF₄	»	Проблема дезактивации
	SiCl₄	Жидкость при 100 мм рт. ст. и 5 °С
Теллур	Элемент TeF₆	374 Газ	Удобен
Цинк	Элемент	344	Удобен

9.9. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Источник Фримана оказался надежным источником с точно определяемыми параметрами для коммерческих ионных имплантеров¹⁾. Его практическими преимуществами являются простота и стабильная интенсивная плазма, фиксированная около вытягивающей щели нитью.

________

¹⁾ См. также обзор Фримана: J. H. Freeman «Canal Rays to Ion Implantation: 1886— 1986» in Radiation Effects, 1986, v. 100, pp. 161—248. — Прим. ред

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Скачать файл