Твердотельная электроника: Лабораторный практикум (Лабораторные работы № 1-10: Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода. Измерение полосы пропускания усилителя на биполярном транзисторе), страница 6

Выставить входное напряжение  источника питания V1 равным 20 В. Запустить схему на моделирование. Сохранить копию экрана с полученными данными (привести в отчете обе копии экранов).

Рассчитать коэффициент стабилизации, равный отношению изменения входного напряжения к выходному.

Кст= DUвх /DUR2

Проанализировав и сравнив полученные данные, ответить на следующие вопросы:

-объяснить суть работы параметрического стабилизатора, ссылаясь на конкретные данные, полученные в ходе моделирования.

-определить коэффициент стабилизации.

Составить отчет.

Лабораторная работа №7. «Исследование характеристик биполярного транзистора»

Составьте в рабочем окне запущенной программы «MultiSim» принципиальную схему аналогичную приведенной на рис. 7.1.

Рис. 7.1. Принципиальная  электрическая схема исследования статических параметров биполярного транзистора

В данной схеме будут определены параметры биполярного транзистора  и построены его входные и выходные характеристики.

Необходимый (в соответствии с заданием) тип транзистора выбирается из списка компонентов (Component toolbar) (рис. 7.2) при нажатии ЛКМ на изображении транзистора в вертикальном меню компонентов слева от рабочего поля. В группе транзисторов выбирается подгруппа «BJT_NPN».

Задача данной работы состоит в том, чтобы, регулируя ток базы транзистора (ток в процессе моделирования задается изменением значения тока виртуального источника Ibase), фиксировать  по приборам ток коллектора и напряжение на базе при постоянном напряжении на коллекторе  + 5В.

Результаты измерений заносятся в таблицу, подобную табл. 7.1.

Рис. 7.2. Подменю списка элементов (Component Toolbar) со списком доступных для моделирования npn транзисторов

Таблица 7.1 

Результаты измерений и расчетов

Ток базы, А

Напряжение на базе, В

Ток коллектора, А

Напряжение на коллекторе, В

h21э

8.88E-07

6.11E-01

2.44E-04

5

275.1126126

4.89E-06

6.64E-01

1.86E-03

5

381.3715455

9.88E-06

6.84E-01

4.02E-03

5

406.7813765

1.99E-05

7.04E-01

8.28E-03

5

416.8469783

4.99E-05

7.30E-01

2.00E-02

5

402.0661986

9.99E-05

0.748

3.68E-02

5

367.9943955

2.00E-04

7.68E-01

6.38E-02

5

319.3905124

5.00E-04

7.95E-01

1.23E-01

5

245.108

1.00E-03

8.19E-01

1.92E-01

5

191.623

По экспериментальным, полученным в ходе моделирования данным, в каждой точке вычисляется коэффициент усиления по току базы h21э. (h21э=Ik/Iб)

Для построения выходной  характеристики при неизменном токе базы        (100 мкА) изменять напряжение на коллекторе транзистора, (изменением значения напряжения источника Uc)  от 0 до 5 В, фиксируя по прибору ток коллектора. (Шаг изменения напряжения от 0 до 1 В рекомендуется сделать более подробным).

Результаты измерений заносятся в таблицу, подобную табл. 7.2.

Таблица 7.2

Результаты измерений

Напряжение на коллекторе,В

Ток коллектора, А

1.00E-01

1.50E-02

2.00E-01

4.70E-02

5.00E-01

5.70E-02

1.00E+00

5.80E-02

2.00E+00

5.90E-02

5.00E+00

6.40E-02

Задание к лабораторной работе №7.