Электротехника \ Электроника

Расчёт параметров моста Вина. Оценка влияния отклонения выходного напряжения на ±10% от установившегося значения, страница 4

Напряжение покоя , ток коллектора  где ток покоя базы берем равным .

Напряжение покоя, по выходной ВАХ определяем при значение .

Максимальное входное напряжение:  сопротивление термостабилизации, величина которого берется равной (0,01÷0,1)RH  (выходной каскад будем считать нагруженным на сопротивление RH равное 5Ом).

Поскольку ВАХ-и для транзисторов снимаются для среднего значения коэффициента передачи по току, то можно пересчитать максимальный ток базы:

Определим входное сопротивление транзистора по переменному току:

А) для схемы включения с ОЭ с ООС – Rэ:

      Б) Для схемы  с общим коллектором:

Определим значение R8 и R9 [3]: для полностью симметричной схемы и комплиментарных транзисторов, R8 = R9 ≈ , где Iдел  должен превосходить ток покоя базы на несколько порядков, Iдел=1 мА, тогда R8 = R9 = 10 кОм.

Определим   входное   сопротивление   усилительного каскада:

Тогда

Таким   образом   можно   определить,   какая   часть   выходного   тока   ОУ ответвляется в усилитель мощности:   Часть этого тока ответвляется в делитель

Остальная часть входного тока составляет ток базы VT3:

Напряжение  смещения

Для термостабилизации будут использоваться два транзистора КТ503Е. Результат использования транзисторов для термостабилизации  намного превышает результат использования диодов.

2.6 Определение точностных параметров

Оценим точностные параметры установления заданной частоты:

- генерируемая частота в наихудшем случае.

С учетом выбранных элементов (по допустимому разбросу параметров) fмин=157,917Гц;

=(160-157.917)/160=0.013=1.3%, что меньше требуемых 2%.

Оценим точностные параметры генерации при изменении температуры на +30оС.

Выбранным резисторам соответствует ТКС=+100ppm/oC=+100, а выбранным конденсаторам соответствует ТКЕ=-75ppm/oC=-75.

Тогда fmin=161,2202 Гц;

=(160-161.22)/160=0.0076=0.76%,  что меньше требуемых 2%.

Заключение

В соответствии с заданием, в данной курсовой работе был разработан генератор синусоидальных колебаний с мостом Вина. Так же была рассчитана система АРУ для обеспечения уверенного запуска и автоматической корректировки уровня выходного сигнала.

Для обеспечения требуемой выходной мощности, был спроектирован усилитель мощности, выполненный по двухтактной схеме (режим АВ) на комплиментарных транзисторах, включенных в схему с общим коллектором. Питание схемы осуществляется от источника стабильного напряжения ±10В.

Спроектированный генератор, несмотря на разброс параметров элементов схемы, а так же на температурные изменения (резисторов и конденсаторов моста Вина), обеспечивает отклонение генерируемой частоты от заданной не более 2%.

Список использованной литературы

1.     Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника  -М.: Высшая школа, 2ОО4.-787с.

2.     Волович    Г.И.    Схемотехника    аналоговых    и    аналого-цифровых электронных устройств-М.: Додека-ХХI, 2005.-528с.

3.     Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схемМ.: Энергия, 1973.-608с.

4.     Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник/ Под ред. Б.Л. Перельмана,-М.: Радио и связь, 1981.-656с.

5.     Полупроводниковые  приборы:  диоды,  тиристоры,  оптоэлектронные приборы: Справочник/ Под ред. Н.Н. Горюнова,-М.: Энергоатомиздат, 1987.- 744с.

6.     Полупроводниковые   приборы:   транзисторы   средней   и   большой мощности: Справочник/Под ред. А.В. Голомедова,-М.: КУБКа, 1995.-510с.

Скачать файл