Рис 1.3. Модель второго каскада с общим эмиттером в среде Orcad

Рис 1.4 Uвх(t) и Uвых(t) при частоте f=1Kгц
Uвх(t)макс=10мВ
Uвых(t)макс=92,4мВ
Следовательно,
коэффициент усиления третьего каскада равен ![]()
![]()

Рис 1.5. Модель второго каскада с общим эмиттером в среде Orcad без учета сопротивления источника.

Рис 1.6 Uвх(t) и Uвых(t) при частоте f=1Kгц
Uвх(t)макс=10мВ
Uвых(t)макс=11,6мВ
Следовательно
коэффициент усиления третьего каскада без учета входного сопротивления равен ![]()
![]()
Расчеты для первого каскада с общим эмиттером:
Пусть напряжение питания
.
Напряжение на коллекторе равно половине напряжения питания:
![]()
Ток коллектора для каскада будет равен отношению напряжения коллектора к величине резистора Rk
![]()
![]()
Так как требуется обеспечить коэффициент усиления по напряжению. равен 100, то выберем для одного каскада Коэффициент усиления по напряжению с припуском равен:
![]()
Сопротивление резистора Rэ высчитываем по формуле
![]()
Определим токи базы транзистора VT1 и ток делителя этого же транзистора.
По выходным характеристикам транзистора находим h21э

![]()
![]()

![]()
По входным характеристикам находим напряжение бэ и h11э

![]()
![]()
Определим ток через резисторы делителя R1 и R2. Этот ток будет больше тока базы в (5…10)раз, ток через делитель равен:
![]()
Рассчитаем смещение на базе VT2. Для этого примем ток эмиттера приблизительно равным току коллектора транзистора:
![]()
![]()
Теперь можем определить сопротивление R2:
![]()
Величину сопротивлении R1 определим из отношения напряжения база-питание к току делителя, где напряжение база-питание найдем из формулы:
![]()
![]()
Найдем входное сопротивление третьего каскада:
![]()
![]()
![]()
Найдем емкости С1 и С2:
![]()
![]()
Найдем экспериментальным путем входное сопротивление, для этого уберем входное сопротивление, и измерим ток на С1 и входное напряжение:


![]()
![]()
![]()
![]()
Практический и экспериментальный методы показали, что мы правильно нашли входное сопротивление.
Найдем экспериментальным путем выходное сопротивление, для этого измерим напряжение на нагрузке на холостом ходу:

Рис.Rn=1.15kOм


Рис. Rn=100MOм

![]()
Моделирование Каскада в OrCad-e

Рис 1.7. Моделирование первого каскада с общим эмиттером в среде OrCad

Рис 1.8 Uвх(t) и Uвых(t) при частоте f=1Kгц
Uвх(t)макс=10мВ
Uвых(t)макс=19,1мВ
Следовательно,
коэффициент усиления второго каскада равен ![]()
![]()

Рис 1.9. Модель второго каскада с общим эмиттером в среде Orcad при отсутствии сопротивления источника.

Рис 1.10 Uвх(t) и Uвых(t) при частоте f=1Kгц
Uвх(t)макс=10мВ
Uвых(t)макс=97.4мВ
Следовательно
коэффициент усиления второго каскада без учета сопротивления источника равен ![]()
![]()
Как мы видим все входное напряжение падает на высокоомном сопротивлении источника, поэтому для согласования высокоомного сопртивления источника с низкоомным сопротивлением нагрузки, на вход ставим каскад с общим коллектором
Расчеты для каскада с общим коллектором:
Так как у нас на входе большое сопротивление то мы добавляем каскад с общим коллектором, который позволит нам получить на выходе маленькое сопротивление
Сопротивление эмиттера равно
![]()
По входным и выходным характеристикам определяем:
![]()
![]()
![]()
![]()

Рис 1.11. Снятие выходных характеристик с транзистора

Рис 1.12. Снятие входных характеристик с транзистора
Далее рассчитываем :
![]()
![]()
![]()
![]()
Находим сопротивления на делителе напряжений:
![]()
![]()
![]()
![]()
Считаем емкости С1 и С2:
![]()
![]()
Далее моделируем В Оркаде Схему каскада с общим коллектором, и находим коэффициент усиления в данном каскаде:

Рис 1.13.Моделирование в среде OrCad схемы с общим коллектором

Рис 1.14 Uвх(t) и Uвых(t) при частоте f=1Kгц
Uвх(t)макс=10мВ
Uвых(t)макс=8.4мВ
Следовательно
коэффициент усиления первого каскада равен ![]()
![]()
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.