Практическое ознакомление со схемами включения биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмитором и полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком

Страницы работы

3 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Цель работы: Практическое ознакомление со схемами включения биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмитором (ОЭ) и полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком (ОИ).

Оборудование: Лабораторный стенд, блок № 2, соединительные провода, токовый шунт.

Задание № 1.

Исследование биполярного транзистора. Снять выходную характеристику IK = f(UКЭ) при IБ = const.

Овал: PAОвал: PV                                                                                                 +15 V          X10

                                                                   20 mA

+                 X6    -

                                                  X5

                                                                                                           R5

            +5 V              R1                                                       20 V

           X1                  R2       

           X2                                                                      X7

                                   R3

           X3                                                                                                           X11

                                   R4                                                             X9

X4

Uкэ, В

0

0,1

0,2

0,4

0,6

0,8

1

2

4

6

8

Iк, mA при R1 (Iб1)

0

2,72

3,12

3,24

3,25

3,26

3,26

3,28

3,31

3,34

3,37

Iк, mA при R2 (Iб2)

0

3,36

5,50

5,66

5,67

5,68

5,69

5,72

5,79

5,84

5,91

Iк, mA при R3 (Iб3)

0

5,64

10,77

11,22

11,24

11,26

11,28

11,38

11,53

11,72

12,13

Iк, mA при R4 (Iб4)

0

7,35

14,65

15,53

15,55

15,57

15,58

15,70

16

16,20

16,48

По данным таблицы построим выходную характеристику IK = f(UКЭ) при IБ = const.

Задание № 2.

Исследование полевого транзистора.

1.  Снять переходную характеристику IC = f(UЗИ) при UСИ – const = max.

2.  Снять выходные (стоковые) характеристики IC = f(UСИ), UЗИ = 0; 1; -1 В.

№ 1.

UЗИ, B

0,5

1

1,5

2

IC, mA

1,03

0,80

0,61

0,43

№ 2.

UЗИ = 0 В

UСИ, В

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

2

4

6

IC, B

0

0,82

1,50

2,11

2,62

3,02

3,98

4,34

4,44

UЗИ = 1 В

UСИ, В

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

2

4

6

IC, B

0

0,02

1,40

2,41

3,22

4,01

4,83

6,68

7,61

UЗИ = -1 В

UСИ, В

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

2

4

6

IC, B

0

0,38

0,54

0,68

0,77

0,83

0,93

1,02

1,06

          + 5       (-5)

                                                                                             X5                        X6

Овал: PA         R6

Овал: PV                                                                                 20 mA   

                                                                                                                             R8  

                                                                                 VT2   

         R7                              X3

                                         +       -    

                                                     2 V

 


                                         -       (+)

                                                                                                           X9

                 X2                     X4

По данным таблицы и схемы включения полярного транзистора построим диаграмму зависимости IC = f(UСИ), UЗИ = 0; 1; -1 В.

Контрольные вопросы:

Крутизна S для полевого транзистора S = Δ IC / Δ UЗИ = 13 мА/ В

Дифференциальное сопротивление

При UЗИ = 0: R1 = Δ UCИ / Δ IС = 0,2/0,82 = 0,24 Ом

R2 = Δ UCИ / Δ IС = 0,8/ 2,62 = 0,3 Ом

R3 = Δ UCИ / Δ IС = 6/4,44 = 1,35 Ом

При UЗИ = 1: R1 = Δ UCИ / Δ IС = 0,2/1,40 = 0,14 Ом

R2 = Δ UCИ / Δ IС = 0,8/4,01 = 0,2 Ом

R3 = Δ UCИ / Δ IС = 6/7,61 = 0,78 Ом

При UЗИ = -1: R1 = Δ UCИ / Δ IС = 0,2/0,38 = 0,5 Ом

R2 = Δ UCИ / Δ IС = 0,8/0,77 = 1,03 Ом

R3 = Δ UCИ / Δ IС = 6/1,06 = 5,6 Ом

Ответы:

1. h параметры – транзисторы, включённые в общих схемах, могут быть представлены в виде четырёхполюсника, описываемого системой h параметров, устанавливающих связь между входными и выходными напряжениями и токами.

 


                                  I1                                                                                I2

 

                                                б                             к 

                                 U1                                              э                            U 2

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
60 Kb
Скачали:
0