Исследование однокаскадных транзисторных усилителей. Овладение методикой расчета и экспериментальное исследование основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей

Страницы работы

7 страниц (Word-файл)

Фрагмент текста работы

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Факультет Технической Кибернетики

Кафедра Автоматики и Вычислительной Техники

ОТЧЕТ

о лабораторной работе №5

          «Исследование однокаскадных транзисторных усилителей»__ _            

                                                 Электроника__      ____________________  __

                                       Работу выполнил студент    2081/2   

группа           Ф.И.О.

Преподаватель      

подпись           Ф.И.О.

Санкт-Петербург

2006г.

  1. Цель работы.

Овладение методикой расчета и экспериментальное исследование основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей, получение навыков настройки их режимов и снятия частотных характеристик усилителей.

  1. Чертеж схемы исследуемого устройства ( рис. 2.1 ).

Рис. 2.1

  1. Исходные данные. ( 5 вариант )

Тип транзистора: МП-26, , , , ,

Ср1=0,22 мкФ, Ср2=0,47 мкФ

Параметры транзистора и элементов цепи:

h21э = 20, Ск = 50 пФ, fh21э = 0,25 МГц

φт = 0.025, Uбэ = 0.6 В, rб = 160 Ом

  1. Расчет элементов и параметров схемы.

1) Определим ток эмиттера транзистора:

Iэ = (Ео - UкэА)/αRк, где α = h21э /(1+ h21э)= 20/(1+20)=0,95

Iэ = (12-5)*21 /(20*2*103) = 3,675*10-3 A

2) Определим предварительное значение резистора R1:

R1= h21э * Rк *( Eo-Uбэ)/(Eo-Uкэа)

R1=  20*(12-0,6)*2*103/(12-5) = 65*103 Ом

3) Найдем Ki0:

Кio = - h21э *[ R1/( R1+ h11э)]*[ Rk/( Rk+ Rн) ]

h11э= rб+rэ(h21+1)

rэ= φт/Iэ, rэ= 25*10-3/3,675*10-3=6,8 Ом

h11э= 160+6,8*(20+1) = 302,8 Ом

Кio = -20*65*1000/ (65*1000 + 302,8) * 2*1000/(2*1000+3,9*1000) = -6,7

4) Найдем Ku0:

Кu0 = -h21э*Rк*Rн / h11э*( Rк+Rн)

Кu0 = -20*2*3,9*1000000/ (302,8*5,9*1000) = -87,3

5) Найдем Rвх и примем Rвых = Rk:

Rвых ≈ Rк = 2 кОм

Rвх ≈ h11э= 302,8 Ом    

Расчеты для построения теоретической амплитудно-частотной характеристики для однокаскадного транзисторного усилителя “с общим эмиттером”:

Ku(s) = Ku0/ [1+s(CкRн +τh21э)]

L(ω) =20lgKu0 – 10lg(1+ω^2*a^2), где

a=  CкRн +τh21э

τh21э = h21э/2πfh21  - постоянная времени

ω = 2πf

20lgKu0 = 38,51

τh21э = 20/(2*3,14*0,25*1000000) = 12,7*10-6 c

CкRн = 50*10-12*3,9*1000 = 0,195 *10-6 c

a =  12,9*10-6 c

fв = 1/2πа =1/( 2*3,14*12,9*10-6 ) = 12344 Гц

τн1 = Ср1*Rвх = 0,22*10-6*302,8 = 0,067*10-3 с

τн2 = Ср2*Rн = 0,47*10-6*3,9*1000 = 1833*10-6 с

fн1= 1/2πτн1 = 1/( 2*3,14*0,121*10-3 ) =  2377 Гц

fн2= 1/2πτн2 = 1/( 2*3,14*1833*10-6 ) = 86,9 Гц

  1. Примеры расчетов. Экспериментальные зависимости.

Исходные данные:

f = 5 кГц

Uкэ = 5,01 В

Uкэа = 5 В

R1 = 101 кОм

E0 = 12 В

h21 = (E0 – Uкэа)*R1 / (Rк*(E0 – Uбэ)) = (12 – 5)*101000 / (3900 * (10 – 0,6)) = 19,3

Кu0 ( теор. ) = -84,2

1) Амплитудная характеристика - зависимость Uвых = f(ec) ( табл. 5.1, рис. 5.1 )

ecmax = 49,5мВ

Таблица 5.1

Амплитудная характеристика

ec, мВ

Uвых, В

Ku

Теория

Uвых, В

1

0,81

0,076

93,8

0,068

2

2,72

0,253

93,01

0,229

3

7,92

0,728

91,9

0,667

4

10,9

0,991

90,9

0,918

5

16,5

1,46

88,5

1,39

6

18,4

1,62

88,04

1,55

7

22,6

1,96

86,7

1,90

8

26,2

2,24

85,5

2,21

                                       Таблица 5.1 ( окончание )

9

30,0

2,49

83,0

2,53

10

34,5

2,75

79,7

2,91

11

42,9

3,32

77,4

3,61

12

49,5

3,68

74,3

4,17

2) Логарифмическая  амплитудно-частотная характеристика ( табл. 5.2, рис. 5.2 )

Uвх = ec= 40 мВ

 


Таблица 5.2

Логарифмическая  амплитудно-частотная характеристика

f, Гц

ec, мВ

Uвых, В

Ku, дБ

1

16

40

0,00949

-12,4959

2

32

40

0,0322

-1,88408

3

64

40

0,102

8,130804

4

128

40

0,255

16,0896

5

256

40

0,545

22,68673

6

512

40

1,081

28,63531

7

1050

40

1,916

33,60671

8

2050

40

2,66

36,45643

9

4100

40

2,95

37,35524

10

8200

40

2,99

37,47222

11

16400

40

2,97

37,41393

12

32800

40

2,85

37,0557

13

65500

40

2,43

35,67093

14

131000

40

1,63

32,20255

15

200000

40

1,065

28,50579

3) Измерение Rвх

f = 5 кГц

Rвхтеор = 302,8 Ом  

Из имеющихся на стенде берем значение R = 490 Ом

U1 = 40 мВ; U2 = 12,4 мВ                 

ΔU = 27,6 мВ

Rвхэксперимент = ( Uвх / ΔU ) * Rдоп= 710 Ом

4) Измерение Rвых

f = 5 кГц

Rвыхтеор = 2 кОм

Из имеющихся на стенде берем значение R = 2 кОм

Uвыххх = 0,032 В             UвыхRн = 1,13 В

ΔU =  1,098 В

Rвыхэксперимент = ΔU*Rн / UвыхRн = 1943 Ом

  1. Выводы.

В ходе данной работы были рассмотрены параметры однокаскадного транзисторного усилителя, амплитудная и амплитудно-частотная характеристики усилителя.

Значение входного сигнала при рассмотрении амплитудно-частотной характеристики, при измерениях  Rвх и Rвых было взято не ес =(0,5¸0,7)ес макс, а ес =0,8ес макс, т.е. мы находимся уже в области насыщения ( не на границе ).

Рассмотрим расхождения экспериментальных результатов и теории:

Измерение Rвх:

Rвхтеор = 302,8 Ом  

Rвхэксперимент = 710 Ом

134 %

( такая большая погрешность возможно вызвана выбором измерительного резистора, его величина превосходит Rвхтеор )

Измерение Rвых:

Rвыхтеор = 2 кОм

Rвыхэксперимент = 1943 Ом

2,85 %

Амплитудная характеристика:

Кu0 ( экспер. ) = 74,3

1)  погрешность для рассчитанного значения Кu0 = -87,3

14,9 %

2)  погрешность Кu0 для уточненного значения h21 =19,3; Кu0 = -84,2

11,8 %

3)  погрешность для уточненного значения h11:

проводить это бессмысленно в связи с большой погрешностью измерения Rвх, уточнение приведет не к уменьшению погрешности, а лишь к ее увеличению.

погрешности номинальных значений резисторов и конденсаторов:

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
241 Kb
Скачали:
0