Исследование транзисторных ключей. Теоретические формулы и расчеты. Параметры транзистора принятые в расчетах

Страницы работы

10 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Факультет Технической Кибернетики

Кафедра Автоматики и Вычислительной Техники

ОТЧЕТ

о лабораторной работе

по дисциплине «Электроники и электротехника»

Тема:

Исследование транзисторных ключей

Работу выполнил студент  группы 2081/4

Преподаватель     ______________   

подпись

Санкт-Петербург

2007 год


1. Цель работы

Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе.

2.Чертеж схемы


рис 1

3. Теоретические формулы и расчеты

Исходные данные:                           Вариант 5.

Тип транзистора:                     МП-25

E0                                               15 В

Eсм                                              5 В

Iкн                                               30 мА

S                                                 4

Eвх                                              10

tи                                                10 мкс

RC                                               1,1 кОм

Параметры транзистора принятые в расчетах:

Ik0 макс                                         75 мкА

Bмин                                            10

Bмакс                                           25

fa                                                0,25 МГц

Опыт 1. Снятие диаграмм переходных процессов в номинальном режиме. Определение номинальных характеристик процессов

В ходе настройки схемы выяснилось, что расчетное время рассасывания оказалось гораздо меньше расчетного. Для дальнейшего исследования было принято решение изменить номинальное сопротивление R на величину в 3,9 кОм, поскольку расчетное сопротивление давало слишком малое значение tрасс. Номинальные диаграммы выглядят следующим образом.


Номинальные параметры согласно диаграммам:

tф = 1,2 мкс

tрасс = 1,8 мкс

tсп = 8,4 мкс

Несоответствие первоначальных расчетов экспериментальным данным можно объяснить большим разбросом коэффициента усиления транзистора. Если принять в расчетах B=10 (нижняя граница), то мы получаем установленное значение сопротивления R, а параметры процесса получаются равными:

tф = 1,9 мкс

tрасс = 2,5 мкс

tсп = 7,3 мкс

Такие параметры не точно совпадают с экспериментальными, но гораздо ближе, чем предварительные расчеты. Возможно показатель экспоненты насыщения транзистора в реальности немного выше, что приводи к ускорению процесса входа в насыщение и выхода из него.

Номинальные значения элементов собранной схемы:

Rк = 1,3 кОм

R = 3.9 кОм

Rб = 240 кОм

Опыт 2. Исследование зависимостей переходных процессов от длительности импульса

Производилось варьирование длительности импульса по сравнению с номиналом в большую и меньшую сторону. Использовалась схема без форсирующего конденсатора.

Зависимости от длительности импульса

[мкс]

[мкс]

[мкс]

[мкс]

3

1,2

0,3

15

5

1,2

0,9

15

10

1,2

1,3

15

12

1,2

1,5

15

16

1,2

2,1

15

20

1,2

2,5

15


Опыт 3. Исследование зависимостей переходных процессов от тока базы Iб1

Зависимости от тока базы Iб2

[кОм]

[мкА]

[мкс]

[мкс]

[мкс]

430

11,62791

1,8

1,8

8

300

16,66667

2

1,5

8

200

25

2

1,8

8

100

50

2

1,6

6

47

106,383

2

1

5

Опыт 4. Исследование зависимостей переходных процессов от тока базы Iб2

Зависимости от тока коллектора Iкн

[кОм]

[мА]

[мкс]

[мкс]

[мкс]

0,1

150

0,2

1

17

1

15

0,2

0,1

2

2

7,5

0,1

0,2

4

3,9

3,846154

0,1

0,4

5

8,2

1,829268

0,1

0,6

6

16

0,9375

0,1

0,7

7

33

0,454545

0,2

0,8

9

Опыт 5. Исследование зависимостей переходных процессов от сопротивления в цепи коллектора.

Зависимости от тока коллектора Iкн

[кОм]

[мА]

[мкс]

[мкс]

[мкс]

0,68

22,05882

2,4

1

10

1

15

2

1,5

8

1,3

11,53846

1,5

2

9

2

7,5

1

2,2

8

3,9

3,846154

0,8

2,6

8,2

Опыт 6. Исследование зависимостей переходных процессов от емкости форсирующего конденсатора.

В данном опыте был использован вариант схемы с шунтирующим конденсатором.

Результаты измерений отражены ниже.

Поскольку в сборке схемы было использовано другое сопротивление R (3,9 кОм вместо 6,2 кОм), произведем пересчет емкости

.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
482 Kb
Скачали:
0