Микропроцессоры. Управляющие сигналы и принцип работы микропроцессоров, страница 7

MOV R1, R2

Передача из регистра R1 в регистр R2

01DDDSSS

1

5

1

- - - - -

MOV M, R

Передача из регистра в память

01110SSS

1

7

2

- - - - -

MOV R, M

Передача из памяти в регистр

01DDD110

1

7

2

- - - - -

MVI R

Передача байта в ре­гистр

00DDD110

2

7

2

- - - - -

MVI M

Передача байта в па­мять

00110110

2

10

3

- - - - -

LXI RP

Загрузка парных реги­стров B—C, D—E, H—L, SP

00RR0001

3

10

3

- - - - -

LDAX B

Загрузка аккумулятора по адресу, указанному парой регистров B—C

00001010

1

7

2

- - - - -

LDAX D

То же, парой регистров D—E

00011010

1

7

2

- - - - -

STAX B

Занесение содержимого аккумулятора по ад­ресу, указанному парой регистров B—C

00000010

1

7

2

- - - - -

STAX D

То же, парой регистров D—E

00010010

1

7

2

- - - - -

LDA

Загрузка аккумулятора по адресу, указанному в команде

00111010

3

13

4

- - - - -

STA

Занесение содержимого аккумулятора по ад­ресу, указанному в ко­манде

00110010

3

13

4

- - - - -

LHLD

Загрузка регистров L, H из двух соседних ячеек

00101010

3

16

5

- - - - -

SHLD

Занесение содержимого регистров L, H в две соседние ячейки, начи­ная с адреса, указан­ного в команде

00100010

3

16

5

- - - - -

XCHG

Обмен данными между парами регистров H—L и D—E

11101011

1

4

1

- - - - -

XTHL

Обмен данными между SP и H—L

11100011

1

18

5

- - - - -

SPHL

Занесение содержимого регистра H—L в SP

11111001

1

5

1

- - - - -

PUSH RP

Ввод содержимого ре­гистров B—C, D—E или H—L в стек

11RR0101

1

11

3

- - - - -

PUSH PSW

Ввод PSW в стек

11110101

1

11

3

- - - - -

POP RP

Выдача данных из стека в регистры B—C, D—E, H—L

11RR0001

1

10

3

- - - - -

POP PSW

Выдача данных из стека в аккумулятор и регистр признаков

111100001

1

10

3

+ + + + +

Арифметико-логические команды

ADD R

Сложение содержимого регистра и аккумуля­тора

10000SSS

1

4

1

+ + + + +

ADC R

То же, но с учетом пе­реноса

10001SSS

1

4

1

+ + + + +

ADD M

Сложение содержимого ячейки памяти и акку­мулятора

10000110

1

7

2

+ + + + +

ADC M

То же, но с учетом пе­реноса

10001110

1

7

2

+ + + + +

ADI

Сложение байта с со­держимым аккумуля­тора

11000110

2

7

2

+ + + + +

ACI

Сложение байта с со­держимым аккумуля­тора с учетом переноса

11001110

2

7

2

+ + + + +

DAD RP

Сложение содержимого пар регистров B—C, D—E, H—L, SP с со­держимым пары H—L

00RR1001

1

10

3

- - - - -

SUB R

Вычитание содержи­мого регистра из со­держимого аккумуля­тора

10010SSS

1

4

1

+ + + + +

SBB R

То же, но с заемом

10011SSS

1

4

1

+ + + + +

SUB M

Вычитание содержи­мого ячейки памяти из содержимого аккуму­лятора

10010110

1

7

2

+ + + + +

SBB M

То же, но с заемом

10011110

1

7

2

+ + + + +

SUI

Вычитание байта из со­держимого аккумуля­тора

11010110

2

7

2

+ + + + +

SBI

То же, но с учетом за­ема

11011110

2

7

2

+ + + + +

INR R

Увеличение содержи­мого регистра на еди­ницу

00DDD100

1

5

1

+ + + + -

INR M

Увеличение содержи­мого ячейки памяти на единицу

00110100

1

10

3

+ + + + -

DCR R

Уменьшение содержи­мого регистра на еди­ницу

00DDD101

1

5

1

+ + + + -

DCR M

Уменьшение содержи­мого ячейки памяти на единицу

00110101

1

10

3

+ + + + -

INX RP

Увеличение содержи­мого парных регистров B—C, D—E, H—L, SP на единицу

00RR0011

1

5

1

- - - - -

DCX RP

Уменьшение содержи­мого парных регистров B—C, D—E, H—L, SP на единицу

00RR1011

1

5

1

- - - - -

ANA R

Поразрядное логиче­ское умножение содер­жимого регистра и ак­кумулятора

10100SSS

1

4

1

+ + 0 + 0

ANA  M

Поразрядное логиче­ское умножение содер­жимого ячейки памяти и аккумулятора

10100110

1

7

2

+ + 0 + 0

ANI

Поразрядное логиче­ское умножение содер­жимого аккумулятора и байта

11100110

2

7

2

+ + 0 + 0

XRA R

Поразрядное исклю­чающее ИЛИ над со­держимым регистра и аккумулятора

10101SSS

1

4

1

+ + 0 + 0

XRA M

Поразрядное исклю­чающее ИЛИ над со­держимым ячейки па­мяти и аккумулятора

10101110

1

7

2

+ + 0 + 0

XRI

Поразрядное исклю­чающее ИЛИ над со­держимым аккумуля­тора и байтом

11101110

2

7

2

+ + 0 + 0

ORA R

Поразрядное логиче­ское сложение содер­жимого регистра и ак­кумулятора

10110SSS

1

4

1

+ + 0 + 0

ORA M

Поразрядное логиче­ское сложение содер­жимого ячейки памяти и аккумулятора

10110110

1

7

2

+ + 0 + 0

ORI

Поразрядное логиче­ское сложение содер­жимого аккумулятора и байта

11110110

2

7

2

+ + 0 + 0

CMP R

Сравнение содержи­мого регистра и акку­мулятора

10111SSS

1

4

1

+ + + + +

CMP M

Сравнение содержи­мого ячейки памяти и аккумулятора

10111110

1

7

2

+ + + + +

CPI

Сравнение байта с со­держимым аккумуля­тора

11111110

2

7

2

+ + + + +

RLC

Циклический сдвиг со­держимого аккумуля­тора влево

00000111

1

4

1

- - - - +

RRC

То же, но вправо

00001111

1

4

1

- - - - +

RAL

Циклический сдвиг со­держимого аккумуля­тора влево через пере­нос

00010111

1

4

1

- - - - +

RAR

То же, но вправо

00011111

1

4

1

- - - - +