Полупроводниковые диоды. Изучение основных свойств p-n перехода, исследование вольтамперных характеристик кремниевого и германиевого полупроводниковых диодов, определение параметров схем замещения диодов, исследование параметров диодов от режима работы

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Лабораторная работа №1.

Полупроводниковые диоды.

Цель работы: Изучение основных свойств p-n перехода, исследование вольтамперных характеристик кремниевого и германиевого полупроводниковых диодов, определение параметров схем замещения диодов, исследование параметров диодов от режима работы.

Ход работы.

1. Собираем схему эксперимента. Снимаем зависимость обратного тока диода от напряжения для диодов VD1 и VD2. Данные записываем в таблицу.

Uобр,В

0.1

2

2.5

3

3,5

4

4,5

5

6

Iобр, мкА

VD1

0.4

1,9

3

4.4

6

8,6

11,6

16.2

30

VD2

0.4

0.4

0.4

0.4

0.4

0.4

0.4

0.4

0.4

2. Построим обратную ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Определим параметры эквивалентной схемы замещения.

3. Задавая прямой ток диодов, снимаем зависимость прямых напряжения для VD1 и VD2. Данные заносим в таблицу.

Iпр, мА

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Uпр, В

VD1

0.19

0.22

0.24

0.28

0.31

0.34

0.37

0.39

0.4

0.42

0.43

0.44

0.46

0.47

VD2

0.52

0.55

0.59

0.62

0.66

0.69

0.71

0.73

0.74

0.75

0.76

0.77

0.78

0.79

4. Построим в линейном масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2.определим параметры эквивалентной схемы Eпр и rпр VD1 и VD2:

5. Построим в полулогарифмическом масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Найдем идеализированную прямую и определим тепловые токи диодов Iо1 и Iо2

6. Рассчитаем значения дифференциального сопротивления rдиф и сопротивления постоянному току Rд в соответствии с формулами:  Фт = 25 mB

Воспользуемся значениями тепловых токов в соответствии с п.5. 

Данные расчета занесем в таблицу:

I пр. , mA

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

r диф., Ом

VD1

3000

1400

300

133

60

30

30

20

10

20

10

10

10

20

VD2

9800

1200

400

133

60

40

20

10

20

10

10

10

0

10

Rg , Ом

VD1

3000

2200

1250

580

320

175

126

100

82

72

63

56

51

48

VD2

9800

5500

2950

1260

660

350

240

183

150

126

110

98

86

79

7. Построим зависимости rдиф и Rд VD1 и VD2 от прямого тока и прямого напряжения:


Вывод: Изучили основные свойства p-n перехода, исследовали ВАХ кремниевого и германиевого полупроводниковых диодов, определили параметры схем замещения диодов, исследовали параметры диодов от режима работы.

Похожие материалы

Информация о работе