Изучение физических основ работы транзисторов и принципов построения на их основе усилителей, ключей, элементов аналоговой интегральной схемотехники, импульсных устройств

Страницы работы

3 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Кафедра Радиофизики

Отчет о лабораторной работе №10

Базовые элементы и устройства установок физического эксперимента

Выполнили: студенты группы 2091/3

Семенов  Е. А.

Каспарович  А. А.

Преподаватель: Лиокумович Л.Б.

Санкт-Петербург 2005г.

Цель работы: Изучение физических основ  работы транзисторов  и принципов построения на их основе усилителей, ключей, элементов аналоговой интегральной схемотехники, импульсных устройств.

Исследование биполярных транзисторов

Пункт №1:  Выбор рабочей точки.

Для проведения дальнейших исследований нами были выбраны следующие значения тока и напряжения в рабочей точке:

Ik=3мA, Uk=5.5B;

Пункт №3: Исследование малосигнальных y-параметров  биполярных транзисторов

3.1. Для нахождения параметров y11 и y21 нами была собрана соответствующая схема (ее вид указан в методическом  указании).

Ее параметры:

Сбл=200мкФ;   Rб=1кОм;  RL=100 Ом;    В ходе эксперимента мы измеряли амплитуды U0, U1, U2.

На вход подавался гармонический сигнал частотой f=2.5 кГц.

После измерений были получены следующие значения:

U0=4*1.41=5.6(мВ);

U1=6*1.41=8.5(мВ);

U2=74*1.41=104.7 (мВ);

Наличие множителя 1,41 объясняется тем, что вольтметры на установке показывали не  амплитуду, а действующее значение напряжения. А для дальнейших рассчетов требуется именно значение амплитуды.

Тогда значения параметров y11 и y21 могут быть найдены по следующим формулам (они приведены в методическом  указании)

y11=     Y21=

Подставив полученные значения U0, U1, U2 , и заданные значения RL и Rб, найдем значения параметров:

y11=-4* (См);  y21=0.12(См);

3.2. Нахождение параметра y22.

Для выполнения данной цели мы собрали схему, вид которой указан в методическом пособии.  При ее сборке использовались следующие элементы:

Rэ=100 Ом;

Сбл1=150 мкФ;

Сбл2=200мкФ;

В ходе эксперимента были получены следующие значения величин амплитуд напряжения U3 и U2:

U2=8,6*1.41=12,1 (мВ);

U3=0.15*1.41=0.2(мВ);

y22==1,2* (См)

3.3 Измерение параметра y12.

Схема указана в методическом пособии.

Параметры схемы:

Rб=150 Ом;

Сбл1=200 мкФ;

Измеренные значения амплитуд U1 и U2 равняются:

U1=0.1*1.41=0.1 (мВ);

U2=2.8*1.41=4.0 (мВ);

параметр y21 может быть найден из формулы:

y12=U1/(Rб*U2)=1.7* (См);

3.4. Оценка y-параметров для заданной рабочей точки.

y11=Ik0/(h21*Ut)=3 мА/(50*26 мВ)= 1* (См); 

y12=- Ik0/(h21*Uy)=- 3 мА/(50*140В)=-4.3*(См);

y21= Ik0/Ut=0.1 (См);

y22= Ik0/Uy=2*(См);

 

Похожие материалы

Информация о работе