Аттенюатор – испол для умен мощности вх опт сигнала. При цифр передаче большой ур-нь способен привести к насыщению ПОМ. По принципу действия А быв переменные(0-20дБ по 0,5дБ) и фиксированные(0,5,10,15,20 дБ). Исполнения А: А-шнуры; А-розетки.
Волок опт фильтр – использ для модифик опт излуч за счет спектрального изменения распределеняемой мощн.
Волок опт изолятор - обеспеч пропуск света в прямом направл с мин потерями, в обратн направл с боль затух.
Волок опт терминатор (оконечный элемент) – использ для термирования ОВ с целью подавления отражения.
Волок опт переключатель (коммутатор) - осуществ механ, т.е. без оптоэлектронного преобр, коммутацию одного или нескольких опт сигналов, переходящих из одного ОВ в другое. Типов ОП: 1хN; 2хN; блокир ОП 2хN; неблок ОП 2хN
Пассивный компенсатор хроматич дисперсии
Волок опт соединитель (опт разъем) - Наиболее широкое распр получили С. SC (конструкция - зашелка с фиксатором), ST (байонетным типом фиксации с ключом), FC(резьбовой соединитель).
Механический сплайс
Оптические шнуры
Соединительные герметичные муфты
15. ИСТОЧНИК СВЕТА: СИД
СИД явл таким же люминесцентным п/п типа р-п из арсенида галия, но не имеет резонансного усиления. В отличие от ППЛ, обладающего остронаправленным когерентным лучом, в светодиоде излучение происходит спонтанно (самопроизвольно) и луч имеет меньшую мощность и широкую направленность.
Принцип раб СИД основан на явл эектроэлюминисценции –
возбужд атомов проходящим ч/з диод эл I. При пропускании I возник
излучательная рекомбен НЗ в активн обл. НЗ проник в акт слой (гетеропереход)
из прилегающих к нему пассивных слоев (p- и n-слоев) вследствии подачи Uна СИД
и затем испытывают спонтанную рекомбенацию, сопроважд излучением света.
Материалы: рсенид галлия, фосфида галлия, и др.
Диапазон
850 нм
1300 нм
Структура
GaAlAs
GalnAsP GaAlAsP
Мощность излучения, вводимая в световод 62,5/125 мкм, дБм
13 + -18
-14 + -20
Ширина спектра излучения, нм
50
100
Время переключения, нс
4 + 6.5
0.6 + 3.0
Мощность, мВт 5...20; Диаграмма, град 60... 80; Ширина спектра, мм 30... 50; Срок службы, ч 105-106
17. ЛАЗЕРЫ С ДВОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ
Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу п/п. Гетероструктурой называется п/п стр-а с несколькими гетеропереходами (принятое обозначение гетероструктур на основе соединений A и B - A/B, соединения A и B называют гетеропарой). Идея исп стр-р с гетеропереходами в п/п электронике была выдвинута уже на заре развития электроники, в нач 50-х годов. В 1963 г сфор-ли конценцию п/п ЛсДГ.
Если классические гетероструктуры открыли новые технологические горизонты, то использование низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур дает исследователям, технологам и инженерам практически неограниченную свободу рук. Путем подбора параметров гетероструктуры (материалы, толщины и последовательность расположения слоев etc.) исследователи теперь в состоянии получать структруры с требуемыми свойствами. Например, просто меняя номинальную толщину слоя CdTe в матрице ZnTe с 0.3 до 1.2 нм, мы изменяем длину волны излучения (при температуре 5 K) с 530 до 620 нм, т.е "переезжаем" из зелено-желтой области видимого спектра в красную.
14. ИСТОЧНИКИ И ПРИЕМНИКИ СВЕТА
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.