Исследование биполярного транзистора. Приобретение практических навыков по методике снятия входных и выходных характеристик транзистора, страница 2

UKЭ

0

0,02

0,04

0,08

0,1

0,12

0,15

0,2

1

2

Iб=0,1мА

IК,мА

Iб=0,2мА

IК,мА

Iб=0,4мА

IК,мА

8.4. По результатам измерений постройте входные и выходные характеристики биполярного транзистора.

8.5. Рассчитайте параметры биполярного транзистора:

● h11Э, - входное сопротивление;

● h21Э-коэффициент передачи тока эмиттера;

● h22Э - выходную проводимость;

8.6.Завершение лабораторной работы:

● выключите ЭВМ, проделав необходимые манипуляции.

9. Содержание отчета по лабораторной работе.

9.1. Наименование и цель работы.

9.2. Схема исследования транзистора.

9.3. Наименование исследуемого транзистора и его основные электрические данные.

9.4. Таблицы экспериментальных данных.

9.5. Входные и выходные характеристики, построенные на основе экспериментальных данных.

9.6. Расчет h - параметров и Рк в заданных преподавателем точках с необходимыми построениями и обозначениями на характеристиках.

9.7. Выводы о соответствии снятых характеристик типовым характеристикам и расчетных параметров - справочным.

10. Контрольные вопросы.

10.1. Почему исследуемая схема называется схемой с общим эмиттером?

10.2. Какие характеристики транзистора называются входными и какие – выходными? Какой вид они имеют?

10.3. Нарисуйте схему для снятия входных и выходных характеристик и объясните методику их снятия.

10.4. Каков порядок величин ток базы, тока коллектора и тока эмиттера и какими приборами в исследуемой схеме они измеряются?

10.5. Поясните методику определения h - параметров транзистора (h11Э,

h21Э, h22Э) по его  характеристикам. Каков порядок величин каждого из параметров и их физический смысл.

10.6. Почему статический коэффициент передачи тока и входное сопротивление в схеме с ОЭ значительно больше, чем в схеме с ОБ?

10.7. Сравните схему включения транзистора с ОЭ и ОБ по температуростабильности, возможности работы на более высоких частотах, входному и выходному сопротивлениям, коэффициентам усиления по току.

Результаты экспериментальных данных

по снятию входных и выходных характеристик биполярного транзистора.

Рисунок 1 – Схема для снятия входной характеристики биполярного транзистора с ОЭ.

Рисунок 2 - Схема для снятия выходной характеристики биполярного транзистора с ОЭ.

Таблица 1. Входные характеристики Iб = f (Uбэ) при Uкэ=const.

UбЭ

0

0,3

0,5

0,65

0,7

0,85

1

1,2

1,5

2

UKЭ=0В

Iб, мА

0

3,4мкА

0,027

0,79

3

20,7

44,6

78,8

132

223

UKЭ=12В             

Iб, мА

0

1,6мкА

0,012

0,056

0,1

0,88

3,6

10,8

27,6

66,3

Таблица 2. Выходные характеристики IK = f(UKЭ) при Iб =const.

UKЭ

0

0,1

0,15

0,5

1

2

4

6

8

10

Iб=0,1мА

IК,мА

0

0,84

2

4,4

4,5

4,56

4,67

4,78

4,9

5

Iб=0,2мА

IК,мА

0

2,9

8,1

18,1

18,5

18,7

19,1

19,6

20

20,5

Iб=0,4мА

IК,мА

0

6,6

17

45,3

45,9

46,5

47,6

48,8

50

51