Основные физические законы и явления, на основе которых работают элементы современных электронных устройств, страница 5

2.  Статистика электронов в примесных полупроводниках. Сильно легированные и компенсированные полупроводники.

3.  Эффект Ганна. Диоды Ганна.

4.  Закон степени трёх вторых. Вольтамперная характеристика диода.

Вариант 5

1.  Линейные и винтовые дислокации в кристаллах.

2.  Статистика электронов в металлах.

3.  Контакт металл- полупроводник.

4.  Физические процессы в многоэлектродных лампах.

Вариант 6

1.  Энергетические уровни электрона в изолированном атоме. Обобществление электронов в кристалле.

2.  Распределение электронов по скоростям. Дрейф свободных носителей заряда в электрическом поле.

3.  Получение p-n переходов.  Разновидности и характеристики p-n переходов.

4.  Принцип работы и разновидности биполярных транзисторов.

Вариант 7

1.  Волновая функция электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна. Дисперсионные кривые.

2.  Подвижность свободных носителей заряда. Подвижность при низких и высоких температурах.

3.  Равновесное состояние, прямое и обратное включение p-n перехода.

4.  Многопереходные полупроводниковые структуры.

Вариант 8

1.  Движение электрона в кристалле под действием внешней силы.

2.  Электропроводность полупроводников и металлов.

3.  Диффузионная и барьерная ёмкости p-n перехода.

4.  Физические процессы в газах.

Вариант 9

1.  Деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твёрдых тел.

2.  Явление сверхпроводимости.

3.  Импульсные и высокочастотные свойства p-n перехода.

4.  Газонаполненные электронные

Задача

Условия задачи для всех вариантов одинаковые, различны лишь параметры диодов, вольтамперные характеристики (ВАХ) которых приведены в таблице.

                       А

 

          U_пит                                                       V_н                      R_н

                                        V_д                                             

 

Таблица 1

Вариант	Прямойток  Iпр(мА)				Обратное напр. Uоб(В)
	0	2	10	20	10	80
	Прямое напряжение Uпр (В)				Обратный ток Iоб(мкА)
0	0	0,3	0,4	0,5	1	2
1	0	0,4	0,5	0,6	2	3
2	0	0,5	0,6	0,7	3	4
3	0	0,6	0,7	0,8	4	4,5
4	0	0,7	0,8	0,9	5	6
5	0	0,8	0,9	1,0	6	7
6	0	0,85	1,0	1,1	7	7,5
7	0	1,0	1,2	1,3	8	9
8	0	1,2	1,3	1,4	9	10,5
9	0	1,3	1,5	1,55	10	12

1.  Построить по экспериментальным данным, приведённым в таблице, ВАХ диода. Номер строчки таблицы соответствует номеру варианта контрольной работы, т.е., например, для 7 варианта ВАХ диода строится по точкам: прямое напряжение 0,- 1,0-1,2-1,3 B(при соответствующих им прямых токах – 0-2-10-20 мА); обратные токи –8, -9 мкА (при соответствующих им обратным напряжениям – 10, -80 В).

2.  Для прямого включения диода при U_пит = 10В и токе через диод, который показывает амперметр в схеме I_д = 10 мА, определить:

-  дифференциальное сопротивление диода переменному току (R_д);

-  внутреннее сопротивление постоянному току (R₀);

-  показания вольтметров V_д и V_н;

-  сопротивление нагрузки R_н.

3.  Для обратного включения диода при U_пит = 80 В и падении напряжения на диоде, который показывает вольтметр U_д = -50В, определить: