Исследование характеристик активного элемента по постоянному и переменному сигналу, страница 3

Параметры модели транзистора:

BF – коэффициент усиления по току в нормальном режиме при включении с ОЭ (100)

VAF – напряжение Эрли (∞  В)

ISE – ток утечки перехода база-эмиттер (0 А)

BR – коэффициент усиления по току в инверсном режиме при включении с ОЭ (1)

RB – объемное сопротивления базы (0 Ом)

RC – объемное сопротивления коллектора (0 Ом)

CJE – емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении (0 Ф)

VJE – контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер (0.75 В)

TF – время переноса заряда через базу в нормальном режиме (0 сек)

CJC – емкость коллекторного перехода при нулевом смещении (0 Ф)

VJC – контактная разность потенциалов перехода база-коллектор (0.75 В)

TR - время переноса заряда через базу в инверсном режиме (0 сек)

CJS – емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении (0 Ф)

Например:     

.MODEL MODT NPN (BF=100 VAF=200 ISE=1.E-15 BR=.1 RB=200 RC=10

+CJE=2P VJE=.6 TF=.1N CJC=2P VJC=.5 TR=10N CJS=2P

 

Схема 2.

Для схемы 2 моделируется выходная вольт-амперная характеристика при разных напряжениях затвор-исток (источник напряжения V1) и разных значениях температуры (–60, 27, 75 градусов).

Полевые МОП транзистоы описываются следующим образом

М<идентификатор> <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <узел подложки> <имя модели транзистоа> [L=<значение>] [W=<значение>]

L-длина затвора транзистора

W- ширина транзистора

Например:     

M1 2 1 0 0 MODT W=20U L=2U

В описании полевого МОП транзистора имя модели MODТ. Модель транзистора описывается директивной строкой. В скобках указаны значения параметров устанавливаемые по умолчанию.

.MODEL <имя модели> <тип модели> [(<параметры модели транзистора)>]

У полевого МОП транзистора тип модели может быть либо NMOS. либо PMOS.

Параметры модели транзистора:

LEVEL – уровень модели описания транзистора

VTO – пороговое напряжение при нулевом смещении подложки (1  В)

KP – параметр удельной крутизны (2Е-5 А/B)