Цели и задачи курсового проектирования. Содержание и объем курсового проекта, страница 2

, где

f_max.раб – максимальная рабочая частота.

F_гран – граничная частота усиления выбранного транзистора.

Частоты диапазонов:

ДВ f_min=150кГц f_max=285кГц

СВ f_min=595кГц f_max=1605кГц

КВ f_min=3,9мГц f_max=12,1мГц

УКВ – в задании.

Если , то транзистор по частотным свойствам выбран правильно.

Выписать из справочника электрические параметры выбранного транзистора, занести их в таблицу 4.1

Таблица 4.1

Тип электро-провод-ности тран-зистора	В режиме усиления		h11 Ом	h22 мкс	h21э	fгр мГц	Cк пФ	τ пс	Rб Ом	|B|	Технология изготовле-ния тран-зистора
	Uкэ В	Iэ mA

h₁₁ – входное сопротивление, Ом.

h₂₂ – выходная проводимость, мкСим.

h_21э – коэффициент передачи тока (коэф-т усиления).

f_гр – граничная частота усиления (генерации), мГц.

C_к – емкость коллекторного перехода, пФ.

τ– постоянная времени цепи обратной связи, пс .

R_б – сопротивление базы, Ом .

|B| - модуль коэффициента усиления по току в схеме с ОЭ на высокой частоте.

4.4.  При расчете высокочастотных схем радиоприемных устройств наиболее удобной является система Y – параметров.

В схеме с ОЭ при использовании Y – параметров различают:

а) Низкочастотные параметры

g_обр – проводимость обратной связи,

S₀ – крутизна характеристики

g₁ – внутренняя проводимость

g – входная проводимость б) Высокочастотные параметры

С_к – емкость коллектор-база

R_б – распределенное сопротивление базы, измеряемое на высокой частоте

τ – постоянная времени входа.

 - распределенное сопротивление базы, измеряемое на высокой частоте.

 - постоянная времени входа.

 4.4.1 Расчёт НЧ усилительных параметров транзистора.

Пример расчёта:

Определить параметры транзистора ГТ301Е для схемы с ОЭ по известным h - параметрам.

Исходные данные:

Параметры транзистора ГТ310Е: U_k = -5 В

= 1 mA =38 0м

=100 Ом

h₂₂₆=3-10~⁶ сим

= 500 мксек

С_к = 5 пФ

= 4 на частоте  = 20 мГц коэффициент   m=1,2 для сплавных

                                                                      m=1,6 для диффузных                                       транзисторов

Требуется определить:

Параметры транзистора: g, S_a, , , , r_б.

Расчёт:

1. Крутизна характеристики

 mA/В

2. Входная проводимость

 Сим

3. Проводимость обратной связи

 Сим

4. Сопротивление базы

 Ом

5.  Выходная проводимость

 Сим

6.  Постоянная времени

 мксек

 мксек

  4.4.2 Вычисление высокочастотных параметров транзистора.

Пример расчёта:

Определить ВЧ параметры транзистора ГТ310Б на  =465 кГц, токе коллектора 1mA.

Исходные данные:

 = -5В

mA

S₀=26mA/B

g =  Сим

=0,0016 мксек

r_б = 75 Ом

С_к=4пФ

= 465 кГц

Расчёт ведём по формулам 2.37. ..2.40 ЛЗ

Расчёт:

1 . Определение вспомогательных коэффициентов

 Сим

пФ

2. Входное сопротивление

Ом

3. Выходное сопротивление

Ом

4. Входная ёмкость

 пФ

5. Выходная ёмкость

 пФ

6. Крутизна характеристики

S = S₀=26 mA/B

5.   Выбор числа поддиапазонов и их границ.

Общие соображения.

Если при неизменной индуктивности контура не может быть обеспечено перекрытие всего диапазона приёмника переменным конденсатором, а также для удобства и большей точности настройки приёмника на станции диапазона коротких и ультракоротких волн, диапазон приёмника делится на отдельные поддиапазоны. Поэтому предварительный расчёт приёмника необходимо начинать с выбора числа необходимых поддиапазонов и определения их границ.

В радиовещательных приёмниках разбивка на поддиапазоны производится согласно ГОСТ 5651 - 89. В соответствии с этим дополнительно на поддиапазоны разбивается только KB диапазон, а остальные проверяются на обеспечение выбранным блоком переменных конденсаторов заданного перекрытия частот. Диапазон KB радиовещательного приёмника обычно делится на 2 - 3 поддиапазона или выделяется несколько растянутых поддиапозонов.