Маркируются: КУ XXXY, XXX – трехзначное число, первая: 1, 2, 7 – незапираемые; 3,4,8 – запираемые; 5,6,9 – симметричные; 1, 3, 5 – прямой средний ток не более 0,3 А и максимальный импульсный не более 15 А; 2, 4, 6 - прямой средний ток 0,3 -10 А и максимальный импульсный 15 - 100 А; 7, 8, 9 - прямой средний ток более 10 А и максимальный импульсный более 100 А; вторая и третья – номер разработки. Y - буква, обозначающая классификацию по параметрам тиристоров, изготовленных по единой технологии (чем выше буква тем больше напряжение в закрытом состоянии).
Вольт-амперная характеристика имеет следующий вид:
|
|
24. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИС
Интегральная схема (ИС) – конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащей внутри себя электрически связанные полупроводниковые транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы и др., изготовленные в едином технологическом цикле.
В полупроводниковых ИС все активные и пассивные элементы выполнены в тонком (5-10 мкм)поверхностном слое полированной полупроводниковой пластины в результате комбинации процессов легирования, травления, оксидирования, металлизации и др., проводимых с использованием методов литографии.
В качестве активных элементов формируются полевые МДП и биполярные транзисторы. Роль диодов выполняют биполярные транзисторы в диодном включении.
В качестве пассивных элементов применяются диффузионные резисторы (созданные внутри области кристалла с требуемой проводимостью) и диффузионные конденсаторы с ( на основе барьерной емкости р-п-перехода.
Процесс изготовления полупроводниковых ИС осуществляется в несколько этапов. Сначала готовятся монокристаллы путем вытягивания затравки из расплава кремния, заранее легированного примесями для создания необходимой проводимости. Монокристалл разрезается на тонкие пластины толщиной 0,25 – 0,4 мм. Такая тонкая пластинка называется подложка на которой и будет формироваться микросхема. Одна из сторон пластины полируется и химически травится для снятия остаточного напряжения и создания плоской поверхности высокого качества. Затем на эту поверхность наносится эпитаксиальный слой для формирования будущих р-п-переходов.
Характерной особенностью дальнейших технологических операций является многократное повторение процессов оксидирования (нанесение фоторезиста), травления этого слоя под трафарет, жидкостного или плазменного легирования открытых участков поверхности, нанесения токопроводящих металлических дорожек (металлизация) в результате чего в тонком поверхностном слое полупроводниковой пластины создается необходимое количество граничащих друг с другом областей с различными типами проводимостей, изолирующих слоев, межсоединений, образующих активные и пассивные элементы полупроводниковой ИС.
Проблемами развития ИС являются: плотность размещения элементов внутри ИС, ограниченность отвода тепла, ограничение быстродействия.
Перспективы развития: объединение в одном кристалле биполярных и полевых транзисторов; создание структур ИС на основе арсенида галлия на кремниевой подложке, что увеличивает механическую прочность, радиационную стойкость и появление возможности создания оптических соединений; создание оптических ИС.
27. ТРАНЗИСТОРНЫЕ ОПТОПАРЫ
Транзисторная оптопара выполняется с фотоприемным элементом на основе фототранзистора. Излучателем является арсенидогаллиевые диоды. Излучатель и фотоприемник изолированы друг от друга оптически прозрачной средой.
Основными параметрами являются:
· Выходное остаточное напряжение
· Ток утечки на выходе
· Максимальная рассеиваемая мощность
· Максимальный выходной ток
· Максимальное коммутируемое напряжение
· Время нарастания и спада выходного сигнала
· Входные максимальные ток и напряжение.
Маркируются АОТ XXX Y, где XXX – число, обозначающее серию оптопары транзисторной,
Y – буква (А, Б, В, Г), обозначающая отличие параметров.
Транзисторные оптопары находят применение в аналоговых и цифровых коммутаторах сигналов, схемах согласования датчиков первичной информации с измерительными блоками, гальванической развязки в линиях связи, оптоэлектронных реле, коммутирующих большие токи.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
