Зависимость стационарного распределения неравновесных носителей от координаты в фоторезисторе

Страницы работы

3 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Министерство образования Российской Федерации

Владимирский государственный университет

Факультет радиофизики, электроники и

медицинской техники

Кафедра КТРЭС

Лабораторная работа №3

 по дисциплине

Физические основы микроэлектроники

Выполнил:

 

Проверил:

Владимир, 2003

Зависимость стационарного распределения неравновесных носителей от координаты в фоторезисторе имеет следующий вид:

Подпись: (1), где Q – плотность потока излучения;  - коэффициент поглощения;  - квантовый выход; R – коэффициент отражения; L – диффузионная длина;  - время жизни носителей заряда; S – скорость поверхностной рекомбинации; D – коэффициент диффузии;

По данному выражению был построен график зависимости (рис.1) при следующих исходных данных: D=4*10-3м2-1, S=20м*с-1, =106м, L=10-5м, =2*10-7с.

Подпись: p(x)/p(0)

Подпись: x

Рис.1 Нормированное стационарное распределение концентраций неравновесных носителей по координате (D=4*10-3м2-1, S=20м*с-1, =106м, L=10-5м, =2*10-7с).

При изменении времени жизни носителей график приобретает следующий вид:

Подпись: p(x)/p(0)

Подпись: 1

Подпись: 2

Подпись: 3

Подпись: x

Рис.2 Нормированное стационарное распределение концентраций неравновесных носителей по координате при соответствующем времени жизни:

1) 1=2*10-7с; 2) 2=1.5*10-7с; 3) 3=10-7с.

При уменьшении времени жизни максимум концентрации неравновесных носителей на графике смещается влево и уменьшается относительно концентрации неравновесных носителей на поверхности. Это объясняется тем, что при уменьшении времени жизни носителей, уменьшается и расстояние которое они успевают пройти до рекомбинации. Следовательно, максимум концентрации будет ближе к поверхности полупроводника. Уменьшение максимума объясняется тем, что, хотя абсолютные значения концентрации неравновесных носителей в области максимума функции возрастают, но значения концентрации неравновесных носителей p(0) на поверхности полупроводника возрастают значительней, поэтому относительное значение максимума уменьшается.

При изменении коэффициента поглощения график приобретает следующий вид:

Подпись: p(x)/p(0)

Подпись: x

Подпись: 1

Подпись: 2

Подпись: 3

Рис.3. Нормированное стационарное распределение концентраций неравновесных носителей по координате при соответствующем коэффициенте поглощения:

1) 1=9*105м; 2) 2=106м; 3) 3=107м.

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
117 Kb
Скачали:
0