Исследование характеристик биполярных транзисторов при включении с общей базой, изучение статических параметров

Страницы работы

7 страниц (Word-файл)

Содержание работы

1. Цель работы: исследование характеристик биполярных транзисторов при включении с общей базой, изучение статических параметров.

2. Паспортные данные:

Постоянное напряжение коллектор-база П210____________65 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:

П210 при UЭБ >1,5 В__________________________________65В

П210 при  UЭБ >0,5 В__________________________________64В

Постоянное напряжение эмиттер-база___________________25В

Постоянный ток коллектора в режиме насыщения П210____12 А

Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при

tф >=15 мкс П210Ш___________________________________9 А

Постоянная рассеиваемая мощность:

при ТК< 298 К_______________________________________60 Вт при ТК<=343 К_______________________________________15 Вт

Температура перехода________________________________358 К

Тепловое сопротивление:

переход-корпус________________________________1 К/Вт переход-окружающая среда_____________________40 К/Вт

Температура окружающей среды__________________От 213 до ТК=343 К

3. Схема включения:

IЭ

 

IК

 
 


Рис. Схема исследования транзистора, включенного по схеме с общей базой.

4. Табличные данные:

Измеряем входные характеристики транзистора П210:

UКБ, В

UЭБ, В

IЭ, мА

UКБ, В

UЭБ, В

IЭ, мА

0

0

0

0

0,02

0,01

0,02

0,01

0,04

0,04

0,04

0,5

0

0,06

1,05

-2

0,06

1,4

0,08

2,8

0,08

2,9

0,1

4,95

0,1

5,5

0,12

8

0,12

9,8

UКБ, В

UЭБ, В

IЭ, мА

0

0

0,02

0,01

0,04

0,6

-6

0,06

1,5

0,08

3,0

0,1

5,6

0,12

10,1

Измеряем выходные характеристики транзистора П210:

IЭ, мА

UКБ, В

IК, мА

IЭ, мА

UКБ, В

IК, мА

0

2,1

0

5,2

-1

2,4

-1

5,4

-2

2,9

-2

5,9

2

-4

3

5

-4

5,95

-6

3,2

-6

6

-8

3,4

-8

6,1

IЭ, мА

UКБ, В

IК, мА

0

7,6

-1

7,8

-2

7,9

7

-4

7,95

-6

7,97

-8

8


Графики входных характеристик транзистора П210:


Графики выходных характеристик транзистора П210:


Рассчитываем  h и y параметры для входных характеристик транзистора:

Рассчитываем  h и y параметры для выходных характеристик транзистора:

5. Вывод: Мы экспериментально исследовали биполярный транзистор, включенный по схеме с общей базой. Построили графики зависимости входных и выходных параметров транзистора П210. Рассчитали h- и y-параметры. 

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
131 Kb
Скачали:
0