определение ширины запрещенной зоны селенида цинка (ZnSe) и фосфида галлия (GaP) путем изучения их спектра оптической прозрачности в диапазоне волн 640 – 400 нм

Страницы работы

3 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения

Проверил:                                                                                                                  Нефедов В.Г.

Рейтинг:                                                                                                                     ___________

Лабораторная работа № 9

Определение ширины запрещенной зоны полупроводников

По предмету “Физические основы микроэлектроники”

Выполнил:                                                                                                         студент гр. 1444кс

Сорока Д.А.

Санкт - Петербург

2006 г.

1.Цель работы: определение ширины запрещенной зоны селенида цинка (ZnSe) и фосфида галлия (GaP) путем изучения их спектра оптической прозрачности в диапазоне волн 640 – 400 нм.

2.Оборудование и описание работы:

Спектрофотометр СФ-26, кристаллы ZnSe и GaP.

Свет от источника превращается в параллельный пучок и подается на диспергирующую призму, где разлагается в спектр. Требуемый участок спектра вырезается с помощью щели. Ширина щели может изменяться в пределах от 0.01 мм до 20 мм, контролируется по шкале ЩЕЛЬ.

Поток лучей вырезанного участка спектра попадает на фотоприемник, выходное напряжение которого регистрируется стрелочным прибором. Относительная интенсивность светового потока отсчитывается по верхней шкале стрелочного прибора.  Длина волны спектральной составляющей изменяется путем поворота диспергирующей призмы.

Если на пути светового потока поместить исследуемый образец, то стрелочный прибор зарегистрирует только ту часть потока, которая пройдет через образец.

Исследуемые образцы размещаются в светонепроницаемом отсеке спектрофотометра между оптической системой и фотоприемником.

3.Таблицы расчетов и измерений:

Длина волны,

нм

Результаты измерений

Результаты расчетов

Без образца

ZnSe

GaP

640

14

6,5

5

7.14

46.41

35.7

620

24

11

9

4.17

45.87

37.53

600

40

17

14

2.5

42.5

35

580

68

28,5

23

1.47

41.9

33.81

560

99

41

24

1.01

41.41

24.24

540

98,5

39

0

1.02

39.78

0

520

95,5

33

0

1.05

34.65

0

500

80

20,5

0

1.25

25.63

0

480

64

3,5

0

1.56

5.46

0

460

41,5

0

0

2.41

0

0

440

31,5

0

0

3.17

0

0

420

20

0

0

5

0

0

400

12

0

0

8.33

0

0

470 нм

542 нм

4.Формулы для расчетов:

, где К – нормирующий коэффициент;

, где  - нормированная интенсивность спектральной линии, n – номер образца;

, где - ширина запрещенной зоны, h – постоянная Планка, с – скорость света,  - граничная длина волны.

5.Примеры расчетов:

 эВ

 эВ

6.График:

7.Выводы:

В результате проведения лабораторной работы и расчетов снятых показаний была определена ширина запрещенной зоны у исследуемых полупроводников, численно равная 2.69 эВ у ZnSe и 2.31 эВ у GaP.

Похожие материалы

Информация о работе