Методические указания для самостоятельной работы студентов по дисциплинам «Воздействие излучений на вещество» и «Электрофизические методы обработки материалов», страница 14

1.  Электронно-оптическое наблюдение инициирования и развития импульсного пробоя короткого вакуумного промежутка. / Бугаев С.П., Искольдский А.М., Месяц Г.А., Проскуровский Д.И.// Журн. Техн. Физики. 1967. т.37, N 12. 2206-2208.

2.  Источники заряженных частиц с плазменным эмиттером. /Под ред. Щанина П.М., Екатеринбург: Наука, 1993.

3.  Аброян И.А. Физические основы внедрения и изменения свойств поверхности. //Изв.АН.Сер. Физическая. 1996, т.60, №7, 62-81.

4.  Мартыненко Ю.В. Эффекты дальнодействия при ионной имплантации. //Итоги науки и техники. Сер. Пучки зар. частиц и тв. тела. - М.: ВИНИТИ. 1993. т.7. 82-109.

5.    Гусева М.И. Ионная имплантация в неполупроводниковые материалы. //Итоги науки и техники. Сер. Физические основы лазерной и пучковой технологии. - М.: ВИНИТИ. 1989. т. 5. 5-54.

6.   Овчинников В.В. Мессбауэровская спектрометрия ионно-легированных металлов и сплавов. //Изв. АН. Сер. Металлы, 1996, № 6, с. 104-129

7.  Взаимодействие лазерного излучения с веществом. /Прохоров А.М., Конов В.И., Урсу И., Михаилеску И.Н. - М.: Наука, 1988.

8.    Риссел Х., Руге И.: Ионная имплантация. Пер с англ. /Под. ред. Гусевой М.И.-М.: Наука, 1983.

9.   Ovchinnikov V.V., Chernoborodov V.I., Ignatenko Yu.G. Change of Electrical Properties of Alloys and Excitation of Low Temperature Atom Mobility by Ion Bombardment. Nuclear Instruments and methods in Physics Research. 1995, B 103, 313 -317.

10.  Орлов А.И.  Дислокации. Физический энциклопедический словарь. /Гл. ред. Прохоров А.М.- М.: Советская энциклопедия, 1984. - 944 c.

11.  Дислокационные структуры поверхностных слоев чистых металлов после ионной имплантации. Диденко А.Н., Козлов Э.В., Шаркеев Ю.П. и др./Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №3. 120-131.

12.  Goloborodsky B.Yu, Ovchinnikov V.V., Semionkin V.A. Long-Range Effects in the FePd2Au Alloy under Ion Bombardment. Fusion Technology, v.39, 2001, 1217-1228.


ИМПЛАНТАЦИЯ УСКОРЕННЫХЪ ИОНОВ В ВЕЩЕСТВО

Составитель Овчинников Владимир Владимирович

Редактор Н.П.Кубыщенко

Подписано в печать 26.02.2002

Формат 60х84 1/16

Бумага типографическая

Офсетная печать

Усл.печ.л.2,09

Уч.-изд.л. 1,67

Тираж 50

Заказ

Цена «С»

Издательство УГТУ-УПИ

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19



/1 Legurung (нем.) - сплав.

/2 1эВ = 1,6 . 10 -19 Кл . 1А = 1,6 . 10 -19 Дж.

/3 Флюенс (используется также термин доза облучения) – общее число частиц, прошедших через единичную площадку, перпендикулярную  направлению потока частиц  (размерность – см-2). При определении числа внедренных на единицу площади мишени ионов необходимо принимать во внимание неоднородность плотности ионного тока по сечению пучка, перемещение (если оно имеет место) пучка относительно мишени, а также знать угол между осью пучка и нормалью к облучаемой поверхности. При оценке числа внедренных ионов в вещество следует учитывать также эффекты распыления поверхностного слоя ионным пучком (см. раздел 2).

\4  Средний проективный пробег (проективный пробег) ионов – среднее расстояние на которое проникают в глубину плоской мишени ионы пучка, перпендикулярного ее поверхности (среднее значение проекции траектории иона на нормаль к облученной поверхности). Используется для характеристики глубины проникновения в вещество ионов фиксированной энергии.

/6  Тип решетки и характер химической связи определяются электронным строением атомов вещества, макро- и микрораспределением атомов разного сорта и их динамикой, т.е. температурой.

\7   Деформации, вызывающей, в отличие от упругой, необратимое изменение формы кристалла.