Просмотр 2D и 3D файлов в МicroТeс. Моделирование электрических свойств NMOS-транзистора программой SemSim, страница 3

Заключение.

В заключение настоящего руководства следует отметить, что проблемы численного моделирования полупроводниковых структур уже давно обсуждались в отечественной литературе  см., например, [12], и ответы на многие вопросы можно найти в доступной рускоязычной литературе [1,4,7,8]. В то же время многие существенные особенности и практически важные свойства пакета МicroТeс могут быть в полной мере освоены только после многократного практического опробования пользователем.

Следует обратить внимание на то, что МicroТeсявляется  одной из первых и простых программ двумерного моделирования полупроводниковых приборов. Знакомство с МicroТeс облегчает освоение более сложных специализированных пакетов моделирования, которые можно использовать при выполнении дипломных работ и магистерских диссертаций. Вместе с тем мы можем рекомендовать МicroТeс для иллюстрации физических явлений в приборах и демонстрации конструктивно-технологических решений при проектировании ИС.

Хотелось бы надеятся, что наше пособие будет полезным  будущим пользователям МicroТeс и других систем TCAD на  сложном пути углубленного освоения численных методов моделирования  физики и технологии полупроводниковых микро- и наноструктур.

Авторы считают своим приятным долгом выразить глубокую благодарность и признательность М.С. Обрехту, Siborg Sys. Inc., Waterloo, Ontario, Canada, любезно предоставившему нам простую и удобную версию программы моделирования MICROTEC, без которой была бы невозможна практическая реализация изложенной   выше работы.

Литература

1.  Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. – М.: Высшая школа, 1989.-320 с.

2.  Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС.-М.: Радио и связь, 1991.

3.  МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /  Под ред. П. Антоннети, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема. – М.: Радио и связь, 1988.-496 с.

4.  Кремлев В.Я. Физико–топологическое моделирование структур элементов БИС. М.: Высшая школа, 1990.-144 с.

5.  Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов./  Под ред. Г.В. Годияка - М.: Радио и связь, 1989.

6.  Королев М. А. , Крупкина Т.Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, в 2 ч., М.: Бином, 2007. -397 с.

7.  Мулярчик С.Г. Численное моделирование микроэлектронных структур. – Минск: Издательство Университетское, 1989. – 368 c. 

8.  Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. - Рига: Зинатне, 1986. - 168с. 

9.  Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, в 2 ч., М.:Техносфера, 2004, 416 с. и 536 с.

10. Королев М. А., Крупкина Т. Ю., Чаплыгин Ю. А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники.- Изв. Вузов. Электроника, 2005,№ 4-5, с. 64-71.

11.Obrecht M.S., Software Package for Two-Dimesional Process and Device Simulation – MICROTEC – 3.02 User’s Manual, Siborg, Waterloo, Can., 1988.

12.Елисеев В.С., Миргородский Ю.Н., Руденко А.А. Численные методы анализа двумерных полупроводниковых структур // Микроэлектроника / Под. ред. А.А.  Васенкова. – Вып. 8. – M.: Сов. радио, 1975.