Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды. Источники вторичного электропитания. Стабилизаторы напряжения постоянного тока

Страницы работы

46 страниц (Word-файл)

Фрагмент текста работы

транзисторно-транзисторная логика, характерны высокое   быстродействие, хорошая, нагрузочная способность, малая потребляемая мощность;

-   эмиттерно-связанная  логика,  обладающая  самым высоким быстродействием;

-  инжекционно-интегральная логика, имеет высокое быстродействие, высокую степень интеграции и плотность упаковки, но низкую помехоустойчивость и малый перепад логических уровней.

Базовым элементом логических интегральных микросхем на МДП-транзисторах также является инвертор, состоящий из транзистора и нагрузочного резистора в стоковой цепи, причем в качестве резистора тоже используется МДП-транзистор. Такие интегральные микросхемы делятся на одноканальные, в которых и МДП-транзистор и МДП-резистор имеют канал одного «р» или «n»-типа, и комплементарные, в которых используется пара МДП- транзисторов с каналами разного типа. Последние предпочтительнее, так как их отличает высокая технологичность, малая потребляемая4 мощность, высокая степень интеграции.

7. ГЕНЕРАТОРЫ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ

Для получения прямоугольных импульсов используют релаксационные генераторы. Если релаксатор работает в ждущем режиме, то он имеет состояние устойчивого равновесия и состояние квазиравновесия. Переход из первого состояния во второе происходит под воздействием внешнего запускающего импульса, а обратный переход самопроизвольно по истечении некоторого времени, определяемого параметрами схемы. Такой релаксатор называют одновибратором. В режиме автоколебаний релаксатор имеет два состояния квазиравновесия, переходит из одного состояния в другое без внешних воздействий, генерируя импульсы, параметры которых зависят от параметров релаксатора. Такой релаксатор называют мультивибратором.

Простейший мультивибратор на биполярных транзисторах  (рис. 112)   представляет  собой  двухкаскадный усилитель с положительной обратной связью. Схема симметричная, т.е.  VT1 и VT2 - транзисторы одного типа; C1=C2;RK1=RK2;R61=R62.

Пусть в момент времени t=t0транзистор VT1 закрылся, а транзистор VT2 открылся. В этом состоянии квазиравновесия, т.е. в первом полупериоде колебаний, разряжается конденсатор С1 по цепи: C1-Rб1-EK-VT2-C1, по мере убыли разрядного тока, протекающего через R61, убывает напряжение на базе VT1. В момент, когда напряжение на базе VT1 достигнет нулевого уровня, отпирается VT1; рост коллекторного тока последнего приводит к выводу VT2 из насыщенного состояния и восстановлению положительной обратной связи. В результате развивается лавинообразный процесс, завершающийся запиранием VT2 и переходом схемы во второе состояние квазиравновесия. Теперь разряжается С2 через R62 и насыщенный VT1. Второй полупериод колебаний завершается в момент достижения напряжением на базе VT2 нулевого уровня; в этот момент отпирается VT2 и происходит обратное опрокидывание в первое состояние квазиравновесия. Заметим, что в первом полупериоде наряду с разрядом С1 идет заряд конденсатора С2 по цепи: EK-Rк1-C2-VT2 с постоянной времени τ3=Rк1· C2, а во втором полупериоде - заряд конденсатора С1 с постоянной времени τ3=RKC1. Спустя промежуток времени t≈ 3τ, заряд конденсатора заканчивается, и напряжение на коллекторе становится равным Ек. Для улучшения формы импульсов в схему включают отсекающие диоды (на схеме не показаны).

Рис. 112. Схема мультивибратора на биполярных транзисторах

Построение симметричного автоколебательного мультивибратора на цифровых микросхемах транзисторно-транзисторной логики аналогично устройству

Похожие материалы

Информация о работе