СОДЕРЖАНИЕ
ЧАСТЬ I
|
Раздел |
Название |
стр |
|
Глава 1 |
Методы определения электрофизических параметров полупроводников. |
9 |
|
Методы измерения удельного сопротивления полупроводников |
9 |
|
|
Источники погрешностей при измерении удельного сопротивления полупроводников |
9 |
|
|
Двухзондовый метод |
12 |
|
|
Четырехзондовый метод |
13 |
|
|
Эффект Холла |
17 |
|
|
Экспериментальные методы определения эффекта Холла. |
23 |
|
|
Метод Ван дер Пау |
25 |
|
|
Измерение коэффициента термоЭДС |
28 |
|
|
Экспериментальное исследование коэффициента термоЭДС |
31 |
|
|
Расчет параметров полупроводника по измеренным значениям α |
33 |
|
|
Измерение теплопроводности полупроводников. |
35 |
|
|
Импульсный метод определения коэффициента теплопроводности |
37 |
|
|
Исследование МДП структур методом высокочастотных вольтфарадных характеристик (ВВФХ). |
40 |
|
|
Экспериментальные методы измерения C-V характеристик. |
43 |
|
|
Определение параметров МДП-структур на основе анализа C-V характеристик |
45 |
|
|
Определение времени жизни неравновесных носителей заряда |
48 |
|
|
Метод измерения времени жизни по релаксации фотопроводимости на СВЧ |
52 |
|
|
Глава 2 |
Анализ структурного и элементного состава кристаллов методами ионной спектрометрии. |
56 |
|
Физические основы метода резерфордовского обратного рассеяния ионов |
57 |
|
|
Рассеяние ионов низких энергий |
64 |
|
|
Распределение элементов по глубине |
65 |
|
|
Вторичная ионная масс спектрометрия (ВИМС) |
68 |
|
|
Каналирование |
78 |
|
|
Глава 3 |
Методы электронной спектроскопии |
85 |
|
Физические основы методов электронной спектроскопии. Энергетический спектр электронов. |
87 |
|
|
Глубина выхода электронов |
91 |
|
|
Неупругие электрон - электронные взаимодействия |
96 |
|
|
Экспериментальное оборудование. Общие характеристики электронных спектрометров в электронной спектроскопии. |
100 |
|
|
Анализаторы задерживающего поля (АЗП). |
102 |
|
|
Достоинства и недостатки АЗП |
104 |
|
|
Отклоняющие электростатические анализаторы (дисперсионные) |
108 |
|
|
Анализатор типа «цилиндрическое зеркало» (АЦЗ). |
110 |
|
|
Разрешающая способность |
113 |
|
|
Концентрический полусферический анализатор (ПСА). |
114 |
|
|
127º-ный секторный цилиндрический анализатор |
117 |
|
|
Электронная оже - спектроскопия |
118 |
|
|
Физические основы оже-спектроскопии. Механизм эмиссии оже-элетронов. |
118 |
|
|
Система обозначений оже-переходов |
121 |
|
|
Энергия оже-электронов. |
123 |
|
|
Глубина выхода оже - электронов. |
124 |
|
|
Экспериментальное оборудование для ЭОС |
125 |
|
|
Электронная пушка для ЭОС. |
126 |
|
|
Анализаторы энергии электронов для ЭОС |
127 |
|
|
Детекторы для РФЭС и ЭОС. |
132 |
|
|
Применение ЭОС. Химический анализ. Химические сдвиги. |
132 |
|
|
Оже - анализ. Качественный анализ |
135 |
|
|
Количественный анализ |
137 |
|
|
Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ) |
142 |
|
|
СХПЭЭ глубоких уровней |
143 |
|
|
Экспериментальное оборудование для СХПЭЭ глубоких уровней |
146 |
|
|
Количественный анализ СХПЭЭ |
146 |
|
|
Возбуждение межзонных электронных переходов. |
147 |
|
|
Возбуждение плазмонов |
148 |
|
|
СХПЭЭ высокого разрешения |
151 |
|
|
Методы фотоэлектронной спектроскопии. |
154 |
|
|
Физические основы. Фотоэлектрический эффект. |
154 |
|
|
Экспериментальное оборудование ФЭС.Источники.. |
156 |
|
|
Анализаторы ФЭС. |
160 |
|
|
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия |
162 |
|
|
Физические принципы РФЭС. Энергия связи и влияние конечных состояний. |
162 |
|
|
Применение РФЭС. Количественный анализ.Энергия связи электронов. |
166 |
|
|
Химический анализ |
168 |
|
|
Химические сдвиги. |
170 |
|
|
Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия. |
172 |
|
|
Применение УФЭС для исследования зонной структуры |
173 |
|
|
Глава 4 |
Методы электронной микроскопии |
179 |
|
Физические принципы работы электронной микроскопии. Взаимодействие электронного пучка с веществом. |
180 |
|
|
Упругое рассеяние |
181 |
|
|
Неупругое рассеяние |
183 |
|
|
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ). |
187 |
|
|
Физические принципы работы ПЭМ. |
187 |
|
|
Экспериментальное оборудование. Оптическая схема и принцип действия ПЭМ. |
187 |
|
|
Электронная пушка. |
190 |
|
|
Электронная оптика |
193 |
|
|
Предельное разрешение электронного микроскопа и дефекты электронных линз. |
196 |
|
|
Формирование изображения в электронном микроскопе. Дифракционный контраст. |
199 |
|
|
Фазовый контраст в ПЭМ |
206 |
|
|
Режим микродифракции |
208 |
|
|
Подготовка образцов для ПЭМ |
213 |
|
|
Сканирующая электронная микроскопия |
220 |
|
|
Физические принципы работы СЭМ |
221 |
|
|
Глубина проникновения электронов в твердое тело. |
222 |
|
|
Формирование изображения в сканирующей электронной микроскопии |
225 |
|
|
Контраст изображения во вторичных электронах |
226 |
|
|
Контраст изображения в отраженных электронах |
228 |
|
|
Кристаллографический и магнитный типы контрастов |
229 |
|
|
Режим наведенного тока и потенциальный контраст |
230 |
|
|
Подготовка образцов для СЭМ |
231 |
|
|
Экспериментальное оборудование. Оптическая схема и принцип действия СЭМ. |
234 |
|
|
Детектор вторичных электронов (SE). |
236 |
|
|
Детекторы обратных электронов (BSE). |
239 |
ГЛАВА I. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Методы измерения удельного сопротивления полупроводников
Удельное сопротивление полупроводниковых материалов является важнейшим параметром, характеризующим качество полупроводника.
Часто требуется знать не только параметры образцов структур различной геометрической формы.
Знание температурной зависимости удельного сопротивления позволяет определить многие другие параметры полупроводникового материала с помощью теоретических расчетов и дополнительных экспериментальных данных, такие как концентрацию носителей заряда, подвижность, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесных уровней и др.
Величина удельного сопротивления полупроводниковых слитков или пластин является одним из основных параметров, указываемых в сертификате полупроводникового материала.
Выбор метода измерения осуществляют с учетом геометрической формы образца, особенностей исследуемого материала, возможности изготовления электрических контактов, возможностей метода измерения. В идеальном случае это должна быть неразрушающая .методика измерения удельного сопротивления.
Источники погрешностей при измерении удельного сопротивления полупроводников
Основная проблема при измерении сопротивления образцов – это грамотный учет погрешностей, возникающих при измерении. Рассмотрим несколько основных причин возникновения погрешностей при измерении полупроводниковых материалов.
1. Во-первых, это погрешности при измерении различных сигналов: электрического тока, падения напряжения, величины магнитного поля и т.п., которые определяются классом точности приборов и методикой измерения той или иной величины.
2. Во- вторых, это погрешности, возникающие за счет особых физических свойств полупроводников и электронных процессов, протекающих в них при измерении электрофизических параметров.
Наша задача проанализировать иеющиеся методики
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
