Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала. Полевой транзистор: Методическое руководство к проведению лабораторных работ № 5-6 по электронике, страница 6

5. Рассчитайте и постройте для области омического режима зависимость  сопротивления канала  как функцию напряжения на стоке  по выражению

.

Расчет выполнить по данным, полученным в п. 5 (см. стр. 55), используя экспериментально снятую зависимость   с учетом того, что .

5. Содержание отчета

1. Цель работы.

2. Основные справочные данные исследуемого транзистора.

3. Принципиальная схема блока экспериментальных измерений.

4. Семейства экспериментальных статических передаточных и выходных характеристик с нагрузочной прямой.

5. Графики расчетных зависимостей .

6. Расчет и .

7. Выводы по каждому пункту исследования полевого транзистора.

Контрольные вопросы

1. Поясните принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

2. Объясните поведение статических выходных характеристик в омической области и в области насыщения.

3. Объясните поведение статических сток-затворных характеристик.

4. Изобразите входную характеристику полевого транзистора с уп-равляющим  p–n-переходом.

5. Дайте определение основных параметров полевых транзисторов.

6. Как по семействам статических характеристик рассчитать

7. Как влияет изменение температуры на параметры полевых транзисторов?

8. Сравните графически статический коэффициент усиления по напряжению μ и коэффициент усиления в режиме с подключенной нагрузкой .

9. Что такое динамическая сток-затворная характеристика, как ее построить и что по ней можно определить?

10. Поясните работу полевого транзистора в режиме электрически управляемого сопротивления.

11. Проведите сравнительную характеристику полевых и биполярных транзисторов.

12. Назовите основные области применения полевых транзисторов и схемы их подключения.

Литература: [2, с. 284–293], [4, с. 116–124], [6, с. 235–244].

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.  Разинкин В.П., Тырышкин И.С. Электроника: учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2006. – Ч.1 – 48 с.

2.  Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учеб. пособие – СПб.: Питер, 2006. – 522 с.

3.  Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высш. шк., 2004. – 622 с.

4.  Степаненко И.П.  Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488 с.

5.  Расадо Л.  Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высш.  шк., 1991. – 351 с.

6.  Электронные приборы  / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 496 с.

7.  Батушев В.А.  Электронные приборы:   Учебник.  –  М.:  Высш. шк., 1980. –  383 с.

8.  Морозова И.Г.  Физика электронных приборов. – М.:  Атомиздат, 1980. – 392 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.......................................................................................... 3

1. Порядок проведения лабораторных работ........................................ 3

2. Описание лабораторного стенда....................................................... 4

Лабораторная работа № 1. Полупроводниковые диоды.......... 6

Лабораторная работа № 2. ПолупроводниковыЙ стабилитрон......................................... 13

Лабораторная работа № 3. Транзистор в схеме с общей базой................................................. 20

Лабораторная работа № 4. Транзистор в схеме с общим эмиттером...................................... 32

Лабораторная работа № 5. Моделирование БИПОЛЯРНОГО

транзистора  в режиме большого сигнала............................................ 39

Лабораторная работа № 6. Полевой транзистор........................ 48

Список литературы................................................................... 58

ЭЛЕКТРОНИКА

Методическое руководство

к проведению лабораторных работ

Часть 1

Редактор  Т.П. Петроченко

Технический редактор Н.В. Гаврилова

Компьютерная верстка  С.Н. Кондратенко

Отпечатано в типографии

Новосибирского государственного технического университета

630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20