Исследование генератора с внешним возбуждением. Вариант 1

Страницы работы

6 страниц (Word-файл)

Содержание работы

      БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

                 ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра радиопередающих устройств и радиотехнических систем

Отчет поЛабораторной работе № 1

«Исследование генератора с внешним возбуждением»

Выполнил:                                                                                       Проверил:

студент гр. № 841201                                           

Молодкин Д.Ф.                                                                              Ползунов В.В.

  Минск 2000

1)Цель работы:

-  Ознакомиться с физическими процессами, происходящими в генераторе с внешним возбуждением (ГВВ).

-  Исследовать причины, влияющие на форму входных и выходных токов.

-  Изучить влияние нагрузки на напряжённость режима ГВВ.                                                  

2)Схема лабораторного макета:


           Схема электрическая принципиальная, лабораторного макета

3) Порядок выполнения работы:

1) Устанавливаем исходный критический режим работы ГВВ (см. таблицу 1).

2) Исследуем влияние напряжения смещения Еб, возбуждения Uв и питания коллектора Ек на напряженность режима и угол отсечки коллекторного тока Q (см. таблицу 1). Соответствующие графики зависимостей Iк=¦(Еб), Iб=¦(Еб), Iк=¦(Uв), Iб=¦(Uв), Iк=¦(Ек) и Iб=¦(Ек) представлены на рисунках.

Таблица 1

Исследуемая позиция

Режим

Ек,

В

Еб,

В

Uв,

В

Uн,

В

Iк,

мА

Iб,

мА

Изменение Q

Форма

импульса

--

КР

10

0,5

0,12

10

64

1,5

79,2°

Еб

НР

10

0,45

0,11

4,9

27

0,6

43,2°

ПР

10

0,53

0,1

11

87

1,9

90°

Uв

НР

10

0,56

0,08

6,5

46

1,0

64,8°

ПР

10

0,48

0,14

11,5

72

1,8

86,4°

Ек

НР

14

0,49

0,1

10

69

1,5

72,0°

ПР

6,5

0,49

0,12

9

60

1,5

100,8°

По полученным экспериментальным данным строим графики зависимостей:  i k = f(Eб), i б = f(Eб), :

Iб, мА

 

Iк, мА

 

0,5

 

0,45

 

  0,6

 

0,6

 

0,5

 

0,45

 

Еб, В

 

Еб, В

 
    

Графики зависимостей:  i k = f(Uв), i б = f(Uв),

Iб, мА

 

Iк, мА

 

Uв, В

 

Uв, В

 

Графики зависимостей:  i k = f(Eк), i б = f(Eк), Q = f(Eк):

Iк, мА

 

Iб, мА

 
 


Ек, В

 

Ек, В

 
   

3)  Исследуем влияние нагрузки активного элемента на напряженность режима ГВВ

                                                                                                    Таблица 2

Полож. перекл

Ik

mA

Iб

mA

Uk

B

ik1

mA

Форма           импульса

Напряжение режима

1

66

1.6

10

16

ПР

2

75

1.6

10.5

16.5

ПР

3

78

1.55

10.5

16.3

КР

4

82

1.54

10.2

16.0

НР

5

90

1.54

10

15.5

НР

6

92

1.54

9.5

14

НР

По полученным данным построим графики зависимостей:  i k = f(R), i б = f(R)

Iк, мА

 

Iб, мА

 


R

 

№R

 

3.2 Вывод: При увеличении Еб происходит рост коллекторного тока iк  и базового iб токов, поскольку тем самым мы увеличиваем напряжение Uбэ и больше открываем транзистор, что влечет за собой значительное увеличение угла отсечки Q;

при увеличении Uв наблюдается рост коллекторного и базового тока, потому что с увеличением амплитуды входного напряжения Uв транзистор открывается, что приводит к росту iк и iб. Однако увеличение Uв приводит лишь к незначительному росту угла отсечки Q;

при уменьшении Ек  происходит уменьшение коллекторного тока iк и незначительное увеличение базового тока iб. Происходит это в следствии того что с увеличением Ек режим транзистора переходит в область насыщения, т.е. ГВВ работает в перенапряженном режиме. Увеличение Q  при этом незначительно.

3.3 Вывод:   При    уменьшении   сопротивления    нагрузки   при   постоянных Ек, Uв, Еб происходит увеличение коллекторного тока и как следствие, уменьшение напряжения Uкэ. При этом ожидалось очень незначительное уменьшение базового тока iб.

Похожие материалы

Информация о работе