Расчет элементов схемы, обеспечивающих ее работу при токе нагрузки 12 мА

Страницы работы

10 страниц (Word-файл)

Содержание работы

ОГЛАВЛЕНИЕ

1.  Задание                                                 2

2.  Краткое описание сложного инвертора        2

3.  Исходные данные                                                                                                                  3

4.  Расчет схемы                                                                                                                           3

5.  Расчет токов на транзисторе VT4                                                                                        3

6.  Расчет сопротивления Rн                                                                                                     3

7.  Расчет сопротивления R4                                                                                                     3

8.  Расчет сопротивления R5                                                                                                   4

9.  Расчет токов на транзисторе VT6                                                                                      4

10.  Расчет тока IR8                                                                                                                      4

11.  Расчет сопротивления R8                                                                                                                                                      4

12.  Проверка условия запирания транзистора VT6                                                                5

13.  Расчет тока IR7 и сопротивления R7                                                                                   5

14.  Проверка правильности выбора резисторов                                                                     5

15.  Расчет тока IR3                                                                                                                      5

16.  При  определим токи и сопротивление R6 на транзисторе VT5.                              6

17.  Расчет тока IR2  и сопротивления R2 на транзисторе VT2                                               6

18.  Расчет токок и  сопротивление R1 и на транзисторе VT1       7

19.  Выходная характеристика                                                                                                    7

20.  Входная характеристика                                                                                                       8

21.  Выбор транзистора                                                                                                                9

22.  Список литературы                                                                                                               10

ЗАДАНИЕ К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ»

ВАРИАНТ №5

Рассчитать элементы схемы, обеспечивающие ее работу при токе нагрузки Iн=12мА. DD1 является элементом 155 серии. Коэффициент разветвления принять равным 12. Принять значение β=25 для всех транзисторов в схеме. Построить    выходную характеристику сложного инвертора.

Краткое описание сложного инвертора:

Если на вход транзистора VT1 поданы высокие уровни напряжения (логическая единица), то переходы эмиттер-база транзистора VT1 смещены в обратном направлении и ток через переход коллектор-база втекает в базу транзистора VT2 и далее в базу транзистора VT5, что приводит к насыщению транзисторов VT2 и VT5.  При этом МЭТ работает в инверсном активном режиме, т.к. все переходы эмиттер-база смещены в обратном направлении, а переход коллектор-база смещены в прямом направлении. Транзистор VT3 закрывается, т.к. напряжение между коллекторами транзисторов VT2 и VT5 оказывается ниже, чем суммарный порог отпирания транзистора VT3 и смещающего диода VD. Основное назначение смещающего диода состоит в надежном запирании транзистора VT3 при насыщении транзисторов VT2 и VT5. В результате выходное напряжение Uкн(VT5) соответствует уровню логического нуля. Когда напряжение хотя бы на одном из выходов равно низкому уровню напряжения (логический ноль), то соответствующий переход эмиттер-база МЭТ смещается в прямом направлении и весь ток, протекающий через сопротивлении R1, поступает во входящую цепь схемы и МЭТ входит в насыщении, коллекторный ток МЭТ уменьшается. При этом напряжение на базе транзистора VT2 составляет сотые доли вольта. Поэтому транзисторы  VT2 и VT5 закрыты.

Похожие материалы

Информация о работе