Исследование вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов: Методические указания к выполнению лабораторного практикума по дисциплине «Твердотельная электроника», страница 6

- определить напряжение стабилизации;

- определить границы электрического пробоя;

-  зафиксировать начальную область ВАХ в увеличенном  масштабе;

-  сравнить экспериментальные и паспортные значения.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Отчет должен содержать:

-  ВАХ диодов, стабилитронов и стабисторов в прямом и обратном направлении;

-  ВАХ начальной области в увеличенном масштабе для диодов, стабилитронов и стабисторов;

-  справочные данные исследуемых диодов, стабилитронов и стабисторов;

-  основные расчетные формулы, расчетные характеристики;

-  анализ экспериментальных и расчетных данных.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.  Что называется полупроводниковым диодом?

2.  Какую область полупроводниковых диодов называют базой?

3.  Почему    при   определении    плоскостных   и   точечных диодов  в качестве характеристической длины иногда принимают диффузионную длину неосновных носителей заряда в базе диода, а иногда толщину базы?

4.  Почему о плотности тока через диод можно судить по распределению неосновных носителей заряда в его базе?

5.  Как и по каким причинам изменяется прямая ВАХ диода с увеличением его температуры?

6.  Что такое диффузионная емкость диода?

7.  В каких случаях процесс генерации носителей в p-n-переходе влияет на ВАХ диода?

8.  Как  влияет процесс рекомендации носителей заряда в p-n-переходе диода на  его ВАХ?

9.  Как зависит пробивное напряжение диода при лавинном пробое от концентрации примесей в базе и от ее удельного сопротивления?

10.Как изменится пробивное напряжение диода при лавинном и при туннельном пробое с увеличением температуры?

11.Каковы особенности теплового пробоя в реальных диодах?

12.Какое явление надо учитывать при работе на высоком уровне инжекции?

13.По каким причинам в базе диода возникает электрическое поле при высоком уровне инжекции?

14.Как процессы накопления  и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода, а также барьерная емкость влияют на работу диода при быстром изменении напряжения или тока?

15.Перечислите и объясните отличия в свойствах и параметрах кремниевых и германиевых выпрямительных диодов.

16.В чем отличия стабилитрона от стабистора?

17.Почему варикапы должны работать  только при приложении к ним обратного постоянного напряжения смещения?

18.Почему в варикапах используется только барьерная емкость и не используется диффузионная емкость?

19.Что такое туннельный диод?

20.Что такое диод Шотки?

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ  ЛИТЕРАТУРЫ

1.  Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов – 5-е издание, переработанное  и дополненное. – СП.: высшая школа, 1987. – 479с., ил.

2.  Электронные приборы: Учебник Для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др.; Под редакцией Г.Г. Шишкина. – 4-е издание переработанной и дополненное – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 496с.: ил.

3.  Гусев В.Г.,Гусев Ю.М. Электроника: Учебное пособие для вузов. – 2-е издание переработанное и дополненное – М.: Высшая школа, 1991. – 622с.: ил.

4.  Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат  1990. – 352с.: ил.