Вопросы к экзамену ФОЭБС
1) Классификация веществ. Зонная диаграмма. Понятие носителей заряда. Теория проводимости. Собственная и примесная проводимости.
2) Уравнение Шредингера.
3) Метод эффективной массы. Заполнение валентной зоны.
4) Циклотронный резонанс.
5) Плотность квантовых состояний. Степень вырождения примесных состояний.
6) Концентрации электронов и дырок.
7) Невырожденные примесные полупроводники.
8) Рассеяние на ионах.
9) Рассеяние на атомах примеси и дислокациях.
10) Рассеяние на колебаниях кристаллической решетки.
11) Подвижность носителей заряда.
12) Механизмы рекомбинации.
13) Движение носителей заряда. Уравнение непрерывности для электронов и дырок. Плотности электронного и дырочного токов.
14) Диффузионные и дрейфовые токи.
15) Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае монополярной проводимости. Движение неосновных носителей заряда.
16) Биполярный коэффициент диффузии и биполярная дрейфовая подвижность.
17) Полупроводники во внешнем электрическом поле.
18) Образование pn-перехода, база диода, энергетическая диаграмма. Структура и классификация диодов.
19) Условие резкого pn-перехода, условие симметричного рп-перехода.
20) Идеальная модель диода. Концентрация носителей и ВАХ.
21) Особенности реального диода. Обратная ВАХ. Эквивалентная схема диода при обратном смещении.
22) Типы пробоя рп-перехода.
23) Прямая характеристика реального диода. Сопротивление базы. Зависимость напряжения прямой характеристики от температуры. Работа диода при высоком уровне инжекции. Распределение токов в базе.
24) Структура, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект. Усилительные свойства при разных схемах включения.
25) Эквивалентная схема Эберса-Молла для идеального транзистора.
26) Уравнения Эберса-Молла. Основные статические параметры идеального транзистора. Входные ВАХ идеального транзистора в схемах ОБ и ОЭ. Выходные ВАХ идеального транзистора в схемах ОБ и ОЭ. ВАХ идеального транзистора в схеме ОК.
27) ВАХ реального транзистора. Сопротивление тел коллектора и базы в схеме Эберса-Молла. Эффект Эрли и его отображение на эквивалентной схеме. Статические параметры биполярного транзистора. Эффективность переходов транзистора. Коэффициент переноса через базу.
28) Коэффициент передачи эмиттерного тока. Пробой коллекторного перехода. Прокол базы. Динамические свойства транзистора. Частотные зависимости коэффициента переноса через базу и коэффициента передачи биполярного транзистора в схемах ОЭ и ОБ. Динамические параметры транзистора.
29) Схема Эберса-Молла для реального транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора.
30) Структура и принцип работы МДП — транзистора. Физические причины насыщения тока стока. Отсечка канала. Выходная ВАХ идеального МДП транзистора. Типы транзисторов.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
