Другие предметы \ Радиотехнические устройства

Основы проектирования и моделирования радиоэлектронных устройств в среде MICRO-CAP VIII, страница 6

Атрибуты компоненты	Номер варианта
Атрибуты компоненты	8	9	10	11	12	13	14	15
Номинал или тип модели	2,2 кОм	2N3634	100	2N3740	2SK313	2N2906	1,3 мГн	20 кОм
Обозначение в табл. 1.1	ПТ-p	ИНУТ	L	●	V	ИСН	V	ИПН
Обозначение в окне схем	VT2	VI2	Lк	Затвор ●	Еc	V2	Еs	Еа
Номинал или тип модели	KP101C	200 Ом	3,3 мкГн	–	27 В	60HZ	12 В	100 В
Обозначение в табл. 1.1	ИСН	ИСН	▬	ИПТ	ОУ³	C	N³	▬
Обозначение в окне схем	Vs	V4		Ic	А2	Сr	VT3
Номинал или тип модели	1MHZ	100 кГц 200 мВ	–	2 мА	UA747C	1,1 мкФ	2N3500
Обозначение в табл. 1.1	L	C	M-p	L	ПТ-p	V	R¹	ОУ⁴
Обозначение в окне схем	Lc	Сc	VT3	Lm	VT3	Vd	R4 Rк	X4
Номинал или тип модели	1 мкФ	12 пФ	2N6804	2,2 мГн	PN4342	–24 B	1 МОм 2,2 МОм	OP_41A
Обозначение в табл. 1.1	M-n	L	D²	ПТ-n	C		ИПН	R¹
Обозначение в окне схем	VT3	Lv	VD1	VT3	Сf	База	Еf	Rg R5
Номинал или тип модели	IRFZ44	0,68 мГн	1N4107	2N4222	2,2 мкФ	–	80 В	1,6 МОм 2 кОм

* импульс прямоугольной формы, период Т = 5t_и

ЧАСТЬ 3. СОЗДАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ СХЕМ

Рис. 1.1. Схемы пассивных фильтров

Таблица 1.3

Номиналы элементов пассивных фильтров, изображенных на рис. 1.1

Номер варианта	Номиналы элементов
Номер варианта	R1, Ом	R2, Ом	R3, Ом	C1, нФ	C2, нФ	C3, нФ	L, мкГн
1	100	100		1,5	1,5
2	200	200		1,5
3	100	100		30	30
4	100	100		1,5
5	1000	1000		150	150
6	1000	1000		150	150
7	100	100		1,5	1,5
8	100	100	50	30	15	15
9
10	100	100		33	1,5
11	100	100		1,5	1,5
12	100	100	1200	1,5	1,5	1,5
13	100	100	1200	1,5	1,5	1,5
14	10⁶			22			1
15	100	10		22			1

Рис. 1.2. Схема резисторного каскада на биполярном транзисторе

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Скачать файл

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание - внизу страницы.