Проектирование и расчет полосового усилителя с коэффициентом усиления: К0=20, страница 6

4)                          - приведенный диаметр провода первичной обмотки.

Тогда

 


Емкость накопительных конденсаторов:

 


Где ¦N – частота сетевого напряжения (50 Гц)

 


Выходное напряжение холостого хода составляет

 


Следовательно, рабочее напряжение конденсаторов должно быть не меньше этой величины. Выбираем электролитический конденсатор серии К52-10 емкостью 270 мкФ на номинальное напряжение 25 В.

Выберем кремниевые выпрямительные диоды со средним выпрямленным током не менее INэфф/2=0,15/2=0,075 А, поскольку каждый диод пропускает только половину периода синусоиды.

Импульсный ток диода во время заряда конденсатора:

 


Максимальное обратное напряжение на диодах равно выходному напряжению холостого хода. Его амплитуды на одном диоде:

 


Выберем кремниевые сплавные выпрямительные диоды Д206, предназначенные для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Их параметры: среднее прямое напряжение – 1В, средний выпрямительный ток – 100 мА, импульсное обратное напряжение – 100 В.

8.3  Расчет параметрического стабилизатора.

Схема параметрического стабилизатора приведена на рис. 20.

 


Рис. 20. Стабилизатор напряжения на эмиттерном повторителе.

Для получения Uвых=15 В выбираем стабилитрон КС 216 Ж на номинальное напряжение стабилизации Uст ном=16 В, учитывая то, что потенциал эмиттера транзистора VT1 меньше потенциала его базы на величину падения напряжения на эмиттерном переходе.

Определяем сопротивление резистора R:

 


где Uвхmin=Uamin=18 В;

Uвых=Uст=16 В;

Iнmax=1,6*10-3 А;

Iстmin=0,5*10-3 А;

 


Выбираем номинальное значение сопротивление R=910 Ом.

Определяем мощность, рассеиваемую в резисторе R в режиме холостого хода.

 


Находим максимальный ток стабилитрона в режиме холостого хода:

 


Найденное значение меньше предельного значения Iстmax=7,8 мА для стабилитрона КС 216 Ж.

В качестве транзисторов выбираем комплиментарную пару маломощных кремниевых транзисторов КТ 215Г и КТ 361Г.

Обозначение

Наименование

Кол-во

Примечание

DA1-DA3

Микросхемы

К154УД4

3

VD1-VD4

VD5

VD6-VD9

VD10

Диоды

Д206

КС216Ж

Д206

КС216Ж

4

1

4

VT1

VT2

Транзисторы

КТ315Г

КТ361Г

1

1

R1

R2, R3

R4

R5, R6

R7

R8

R9, R10

Резисторы

МЛТ – 0,125 – 16 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 33 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 20 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 39 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 5,6 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 22 кОМ ± 5%

МЛТ – 0,125 – 910 кОМ ± 5%

1

2

1

2

1

1

2

C1

C2

C3, C4

C5

C6, C7

Конденсаторы

КД – 1 – 20 В – 3,3 пФ ± 5%

КМ – 5 – 16 В – 1нФ ± 5%

КД – 1 – 20 В – 15 пФ ± 10%

КД – 1 – 20 В – 10 пФ ± 10%

К52 – 10 – 25 В – 270 мкФ ± 20%

1

1

2

1

2

9. Таблица элементов.

Список литературы.

1.  Джонсон Д. и др. Справочник по активным фильтрам. – Энергоатомиздат, 1983.

2.  Операционные усилители: справочник. «Патриот», 1996.

3.  Алексенко А.Г. и др. Применение аналоговых микросхем. 1985.

4.  Титце У. Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: справочное руководство 1982.

5.  Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. Энергоатомиздат.

6.  Галкин В.И. Полупроводниковые приборы: транзисторы широкого применения: Справочник – Минск 1995.