Определение постоянной Холла и концентрации носителей заряда для полупроводника из германия с проводимостью n-типа, страница 2

, где n – концентрация носителей заряда;

, где S – площадь поперечного сечения образца  (), l – длина образца (0,02 м), Ом.

Основные формулы для расчета погрешности.

, где  - среднее значение значений постоянной Холла,

, где  - среднее значение подвижности Холла;

Приборные погрешности:

 Ом.

Результаты измерений

Таблица №1: Зависимость постоянной Холла от значения силы тока (при значении индукции 250 мТл)