Определение коэффициента магнитосопротивления, исследование зависимости подвижности носителей заряда от температуры, страница 6

Табл.3.

t, ºС	T, К	UH, мВ	μH, м2/(Вс)

4) Измерить зависимость напряжения на образце U_обр от величины магнитного поля В при токе через образец I_p=30 мА и комнатной температуре. Магнитное поле изменять от В=0 до +250 мТл с шагом 20 мТл. Данные занести в таблицу 4.

Табл.4.

В, мТл	Uобр, мВ	RB, Ом	|(RB-R0)/R0|

5) Измерить зависимость напряжения на образце U_обр от температуры. Установить В=0 мТл и I_p=30 мА. Для снятия температурных зависимостей необходимо предварительно нагреть образец до температуры 170 ºС, а необходимые данные снимать при охлаждении образца. Для этого необходимо:

а) переключить индикатор модуля на измерение температуры;

б) нажать кнопку «on/off» на задней панели модуля;

в) дождаться температуры 170 ºС.

г) выключить нагрев кнопкой «on/off».

д) измерить зависимость U_обр от температуры 170 ºС до комнатной с шагом 10ºС. Данные занести в таблицу 5.

Табл.5.

t, ºС	T, К	1/T, К-1	Uобр, мВ	σ	ln σ

IV. Обработка экспериментальных данных.

1. Построить зависимость U_H от  I_р. Сравнить с теоретической зависимостью.

2.  Построить зависимость U_H от B. Сравнить с теоретической зависимостью.

а) Определить тангенс угла наклона линии tg(α), равный коэффициенту b в зависимости U_H=U₀+bB.

 

Определить среднеквадратичную погрешность s_tg(α).

б) Найти постоянную Холла и ее среднеквадратичную погрешность s_RH:

в) Найти концентрацию примесей в образце и ее погрешность :

N_пр = p = 1/(e·R_H) для p-Ge и

N_пр = n = -1/(e·R_H) для n-Ge.

3. Используя данные табл.4 определить сопротивление образца в отсутствии магнитного поля:

R₀=U_обр(0)/I.