Вопросы № 1-20 для защиты контрольной работы по дисциплине "Твердотельная электроника" (Что называется контактной разностью потенциалов в p-n-переходе? Почему в пологой области выходных характеристик МОП транзистора ток стока слабо зависит от напряжения на стоке?)

Вопросы для защиты контрольной работы

1. Что называется контактной разностью потенциалов в p-n-переходе?
2. Объяснить зависимость контактной разности потенциалов от концентраций доноров и акцепторов.
3. Объяснить зависимость ширины области пространственного заряда и напряженности поля в переходе от внешнего напряжения.
4. Как зависит напряженность поля в переходе от концентрации примеси?
5. Объяснить зависимость емкости p-n-перехода от внешнего напряжения.
6. Почему с ростом концентраций доноров и акцепторов будет расти напряжение на прямо смещенном p-n-переходе?
7. Чем отличается генерационно-рекомбинационный ток в p-n-переходе от диффузионных токов?
8. Что называется тепловым сопротивлением прибора?
9. Когда и почему прямое напряжение на контакте металл-полупроводник меньше,  чем на p-n-переходе?
10. Чем отличаются токи в контакте металл-полупроводник от токов через p-n-переход?
11. Объяснить зависимость напряжения лавинного пробоя от концентраций примесей в переходе.
12. Что называется нормальным и инверсным коэффициентами передачи тока в транзисторной структуре?
13. Чем отличаются y- и h- параметры транзисторов?
14. Как влияют емкости эмиттера и коллектора на частотные свойства транзисторов?
15. Что называется граничной частотой  биполярного транзистора?
16. Пояснить понятия крутизны и напряжения отсечки полевого транзистора с управляющим переходом (ПТУП).
17. Как зависит крутизна ПТУП от напряжения на затворе
18. Что называется пороговым напряжением МОП транзистора
19. Как зависит крутизна и ток МОП транзистора от толщины диэлектрика
20. Почему в пологой области выходных характеристик МОП транзистора ток стока слабо зависит от напряжения на стоке