Исследование полевых транзисторов, страница 2

График 1. Выходная характеристика полевого транзистора

Снятие проходных ВАХ различных типов полевых транзисторов

Транзистор с затвором в виде p-n-перехода		МДП-транзистор со встроенным каналом		МДП-транзистор с индуцированным каналом
Транзистор с затвором в виде p-n-перехода		МДП-транзистор со встроенным каналом		МДП-транзистор с индуцированным каналом
Uси = 5 В =const
Uси = 5 В =const
U_зи, В	I_c, мА	Uзи, В	I_c, мА	U_зи, В	I_c, мА
U_зи, В	I_c, мА	Uзи, В	I_c, мА	U_зи, В	I_c, мА
0	10,2	-1,2	0	0	0
-0,3	6,6	-0,9	0,2	1	1,7
-0,6	3,4	-0,6	0,6	2	4,9
-0,9	1,4	-0,3	1,2	3	8,4
-1,2	0,2	0	2,2	4	12
-1,5	0	0,3	3,4
		0,6	4,5
		0,9	5,7
		1,2	7,1

1 2 3