Исследование взаимодействия веществ, имеющих доменную структуру, с внешними полями

Страницы работы

7 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Лабораторная работа № 3

Исследование  взаимодействия веществ, имеющих  доменную структуру, с внешними полями.

Цель работы:

Выявление  характерного взаимодействия  веществ, имеющих доменную  структуру, с электрическими (магнитными) и тепловыми полями.

Содержание работы:

1. Изучение поведения заряда (индукции), возникающего на поверхности вещества, от величины приложенного электрического (магнитного) поля.

2. Определение потерь в веществе за один цикл изменения полярности приложенного поля.

3. Исследование поведения проницаемости (диэлектрической или магнитной)

от  напряжённости внешнего поля.

4. Исследование влияния теплового поля на гистерезисный цикл и на проницаемость веществ, имеющих доменную структуру.

Задание на  лабораторную работу № 3

Градуировка (масштаб) осциллографа при U =100 B, x=35 мм, у=3,5 мм.

Образец: сегнетоэлектрик—BaTiO3, Æ15 мм, h= 1мм.

Рис.1

Построить графики e=f (Uн)  и  e=f (T).

Определить точку Кюри и температуру полной перекристаллизации доменной структуры сегнетоэлектрика.

Ход работы:

Принципиальная схема установки для исследования образцов с доменной         структурой с помощью осциллографа приведена на рисунке 2.

 Рис.2

Все вещества, имеющие доменную структуру, состоят из ограниченных облас-   тей (доменов),внутри которых все частицы-носители зарядов- двигаются не хаотически, а в одном направлении, а значит лучше поляризуются, так как им легче сориентироваться под воздействием приложенного электрического поля. Диэлектрики, состоящие из таких веществ обладают высокой проницаемостью в электрическом поле, нелинейностью, т.е. e=f(U), петлёй гистерезиса и имеют точ-

ку Кюри-температуру, выше которой начинается перекристаллизация и исчезновение доменной структуры.

ПРОИЗВОДСТВО ВЫЧИСЛЕНИЙ.                                                                                 

1.Вычисление масштаба горизонтальной оси осциллографа производится по формуле:

где  Umax- амплитуда  приложенного напряжения, В.

U- показание вольтметра, В.

х- отклонение по горизонтальной оси (35 мм), соответствующее амплитуде приложенного напряжения.

2. Масштаб вертикальной оси  осциллографа можно найти по формуле:

где Qмах- заряд, соответствующий амплитудному значению напряжения на                                     
                обкладках конденсатора С0, Кл.                                                                                                                                                                                               

U0- действующее напряжение на образцовом конденсаторе С0, В.

С0- ёмкость образцового конденсатора: С0=106 пФ.                

у- отклонение по вертикальной оси, у= 3,5 мм.           

3. Напряжение  вычисляют по формуле

где U- показание вольтметра,

С01- ёмкость образцового градуировочного конденсатора: С01= 2,2*103 пФ.

4. Определяем диэлектрические потери сегнетоэлектрика при комнатной тем-

 Рис.3

пературе. Мощность, рассеиваемая в сегнетоэлектрике, пропорциональна пло-   щади, ограниченной гистерезисной петлёй (рисунок 3):

Ра=К*S

где К- коэффициент пропорциональности , Вт\мм2;

S- площадь, ограниченная гистерезисной петлёй, мм2. S=2* 103 мм2.

Ра= 9*10-6* 2*103=1,8 Вт.

5. Коэффициент пропорциональности  вычисляется по формуле:                                                  

где u1-цена деления горизонтальной оси, В\мм.

q1- цена деления вертикальной оси, Кл\мм.

f- частота, Гц. f=50Гц.

6. Активная мощность, рассеиваемая в диэлектрике, выражается уравнением:

где Qmax- амплитуда заряда на обкладках сегнетоэлектрика

Uvax- амплитуда приложенного напряжения, В.

w- угловая скорость, с-1.                                   

tgб- тангенс угла потерь материала.

Определим из этого уравнения tgd

7.Построение зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряжения приложенного электрического поля e=f(Uн) Для построения этой кривой по значениям х, у , и  u1, q1  определяются Qm  и  Um:  

Um= u1* x1

Qm= q1* y1

Рассчитываем Um и Qm для всех х и у и заносим полученные результаты в Таб лицу 1 и 2.

Затем вычисляем соответствующие приложенным напряжениям значения ста

тической ёмкости по формуле:

Сст= Qm/Um , а диэлектрическая проницаемость

где h- толщина образца, м;

S-площадь электрода, м2, определяется по формуле

S=pR2=3,1415*(8*10-3)2=1,8*10-4м2.

Напряжённость электрического поля в образце вычисляется по формуле

Ем=Uм/h

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
856 Kb
Скачали:
0