Физические процессы в полупроводниках и их свойства. Термоэлектрические явления в полупроводниках, страница 13

 


                    Rк             IкRк                                                           Rk          IkRk

+   Iэ      

                                                    

    Э                    К                                                           К  

                                                                        -Iб

 Uэб                                               -Uкб

        -Iб      Б                                                              Б                                 -Uкэ

.                                                                      -Uбэ                                      Э

                                         +                                                            Iэ

+

               Рис.10.16.                                                       Рис.10.17.

Схема с общей базой                               Схема с общим эмиттером

Исходя из равенств В=Ik/Iб и Iб=Iэ-Ik , получаем формулу для определения В:

В=Ik/(Iэ-Ik).Поделим на Iэ с учетом, что Ik/Iэ=А; тогда получим

B=                                                                                 (10.19)

Обратите внимание: поскольку А=0,95-0,995, из формулы 10.19 следует, что В=20-200.

10.10.3. Характеристики транзисторов

Функциональная зависимость важнейших величин определяется характеристиками транзистора, которые часто изображаются на одном чертеже. В каждом квадранте приводится своя характеристика.

                 -Ik                                                                     -Ik

                          РМАКС                                                                                                      PМАКС

                                             IЭ растёт                                                       -Iб растёт

                                                         

 


                                                    Iэ=0                                                                 Iб=0

Iэ                                                         -Uкб         -Iб                                                     

                                                                                                                       -Uкэ

 


                                                                                                                   -Iб растёт а)                     Uэб                                            б)                          -Uбэ

Рис.10.18.Характеристики транзисторов: а) схема с общей базой б) схема с общим эмиттером

Характеристики представлены в табл. 10.3.

Таблица 10.3

Характеристика транзисторов

Схема с общей базой

Схема с общим эмиттером

1-й квадрант(выходные характеристики)

-Ik=f(-Ukб)

-Ik= -f(Uкэ)

при различных значениях тока

эмиттера Iэ

базы Iб

Значению Iэ=0 соответствует обратный ток Iкбо.

Значению Iб=0 соответствует остаточный ток Iкэо

2-й квадрант(переходные характеристики или характеристики усилениятока)

-Ik=f(Iэ) при –Uкб=1В

–Ik=f(-Iб) при –Uкэ=1В.

3-й квадрант(входные характеристики)

Iэ=f(Uэб) при –Uкб=1В

(характеристика открытого эмиттерного перехода)

-Iб=f(-Uбэ) при –Uкэ=1В

4-й квадрант(характеристики обратной связи по напряжению)

Эту характеристику часто не изображают, так как её можно получить из других характеристик

-Uкб=f(Uэб ) при различных значениях тока эмиттера Iэ

-Uкэ=f(-Uбэ) при различных значениях тока базы – Iб.

10.11.Фотодиод

Если на запертый обратным напряжением диод падает свет, то число не основных носителей возрастает, вследствие чего увеличивается обратный ток.