Запоминающие устройства ЭВМ, страница 9

По способу контроля параметра БИС ЗУ делятся на измеряемые, режимные и производные.

Измеряемые параметры – измеряются с непосредственным отсчетом значений параметров.

Режимные параметры, контролируемые как условия измерения или как граничные условия правильного функционирования ЗУ.

Производные параметры получаются расчетным путем на основе измеряемых и режимных параметров.

Существуют также специальные классификационные параметры, по которым производится классификация по группам в соответствующие сериях БИС ЗУ. В качестве классификационных параметров могут также использоваться статические или динамические параметры.

Под предельными значениями параметров понимают их допустимые значения за пределами рабочих режимов, после воздействия которых БИС ЗУ не будет повреждена. При этом параметры не регламентируются. При превышении  предельных режимов работоспособность БИС ЗУ может быть нарушена.

<52>

Таблица 1.2.5.2. Система параметров БИС ЗУ.

Тип вывода ЗУ

Статические параметры

Динамические параметры

Классификационные параметры

Производные параметры

Измеряемые

Режимные

Предельные

Измеряемые

Режимные

Магистральный

Входной

на МОП транзисторах

ILI

UI; UCC

UI lim

Время выборки tA

Время установления tSU

Организация (слов´разрядов), бит

Коэффициент объединения KC

на биполярных транзисторах

IIL

UIL; UCC

UI lim

Время выбора tCS

Время удержания tH

Время цикла tCY

Коэффициент разветвления KP

IIH

UIH; UCC

Выходной

открытый коллектор

UOL

UTHRL(H); IOL; UCC

UO lim

Время восстановления tREC

Время сохранения tV

Потребляемая мощность PCC

Потребляемая мощность PCC

IOH

UTHRL(H); IOH; UCC

IO lim

двухтактный

UOL

UTHRL(H); IOL; UCC

UO lim

Время фронта (спада) выходного сигнала tRO (tFO)

Длительность сигнала tW

Число циклов перепрограммирования NCY

Время цикла tCY

UOH

UTHRL(H); IOH; UCC

Время записи tWR

IOS

UIL(H); UO; UCC

IO lim

Время считывания tRD

три состояния

UOL

UTHRL(H); IOL; UCC

UO lim

Входная емкость CI

Время нарастания (спада) входного сигнала tRI (tFI)

Время хранения информации tSG

Период регенерации TREF

UOH

UTHRL(H); IOH; UCC

IO lim

ILO, IOZ

UTHRL(H); UO; UCC

IOS

UIL(H); UO; UCC

Питание

ICC

UCC; UIL(H)

UCC lim

Выходная емкость C

Нагрузка RL; Roff; CL

UCC

ICC; UIL(H)

ICC lim