Запоминающие устройства ЭВМ, страница 8

FRAM – Ferroelectric RAM ()  -  , .

MRAM Magnetic RAM (?).

<51>

1.2.5. Система электрических параметров полупроводниковых        БИС ЗУ.

Параметры БИС ЗУ делятся на статические и динамические. Статические параметры характеризуют работу БИС ЗУ в статическом (устойчивом) режиме. Система статических параметров БИС ЗУ представляет собой совокупность контрольных точек вольт-амперных характеристик. Динамические параметры  определяются временными процессами, происходящими в БИС ЗУ. Систему динамических параметров БИС образует совокупность временных позиций (фаз) перепадов входных и выходных сигналов, соответствующих границам правильного функционирования БИС.

Таблица 1.2.5.1. Основные сигналы БИС ЗУ.

Наименование сигнала

Обозначение

По ГОСТу 19480-72

МЭК

Международное

Отечественное

Адрес

А

а

A

Тактовый сигнал

С

Т

C

Адрес столбца

CA

CA

CA

Строб адреса столбца

CAS

CAS

CAS

Цикл

CY

Ц

С

Входные данные

DI

Uвх.и

D

Данные вход/выход

DIO (DI/DO)

Uвх.и /Uвых.и

DO

Сигнал разрешения

СЕ

P

E

Сигнал обнуления (стирания)

ER

УСТ 0

ER

Сигнал разрешения по выходу

СЕО

G

Выходные данные

DO

Uвых.и

Q

Сигнал информации

D

U

D

Сигнал считывания

RD

СЧ

R

Адрес строки

RA

RA

RA

Строб адреса строки

RAS

RAS

RAS

Сигнал регенерации

REF

РЕГ

RF

Сигнал запись – считывание

WR/RD

ЗП/СЧ

WR

Сигнал считывание – запись

RD/WR

СЧ/ЗП

RW

Выбор микросхемы

CS

BM

S

Сигнал записи

WR

ЗП

W