Запоминающие устройства ЭВМ, страница 11

Параметры

Обозначение

Определение параметра

По ГОCT 19480—74 с изменениями 1981 и1985 гг.

МЭК

Международное

Отечественное

I. Параметры, характеризующие обеспечение совместной работы БИС ЗУ с входными и выходными устройствами

Напряжение питания

U_CC

U_п

U_CC

Напряжение источника питания микросхемы

Ток потребления

I_CC

I_пот

I_CC

Ток потребления по определенному источнику питания микросхемы в заданном режиме

Напряжение питания в режиме хранения

U_CCS

U_п.хр

U_CCS

Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации микросхемы

Ток потребления в режиме хранения

I_CCS

I_пот.хр

I_CCS

Ток, потребляемый микросхемой от источника питания или источников питания в режиме хранения

Напряжение логического 0 входного (выходного) сигнала

U_IL

U_IL

Напряжение сигнала на входе (выходе) микросхемы, соответствующее низкому уровню при положительной логике

(U_OL)

()

(U_OL)

Напряжение логическое 1 входного (выходного) сигнала

U_IH

U_IH

Напряжение сигнала на входе (выходе) микросхемы, соответствующее высокому уровню при положительной логике

(U_OH)

()

(U_OH)

Ток логического 0 входного (выходного) сигнала

I_IL

I_IL

Ток в цепи входного (выходного) сигнала микросхемы, соответствующий низкому уровню входного (выходного) напряжения

(I_OL)

()

(I_OL)

Ток логической 1 входного (выходного) сигнала

I_IH

I_IH

Ток в цепи входного (выходного) сигнала микросхемы, соответствующий высокому уровню входного (выходного) напряжения

(I_OH)

()

(I_OH)

Выходной ток при третьем состоянии (высокоомный уровень)

I_OZ

I_сыкл

I_OZ

Выходной ток микросхемы, находящейся в третьем состоянии

Сопротивление нагрузки

R_L

R_н

R_L

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы

Выходное сопротивление при третьем состоянии (высокоомный уровень)

R_OFF

R

R_OFF

Выходное сопротивление микросхемы, находящейся в третьем состоянии

Пороговое напряжение логического 0 (логической 1)

U_THRL

U_THRL

Значения напряжений, определяющие переход микросхемы ЗУ из одного устойчивого состояния в другое

(U_THRL)

()

(U_THRL)

Помехоустойчивость при логическом 0 (логической 1) на входе

(M_L)

(M_H)

(M_L)

(M_H)

Максимальное значение напряжения статической помехи на входе, при котором сохраняется состояние логического 0 (логической 1) микросхемы

Напряжение сигнала программирования

U_PR

()

U_PR

Напряжение сигнала программирования информации микросхем постоянных ЗУ, программируемых и репрограммируемых

Ток сигнала программирования

I_PR

I_пр

I_PR

Ток по цепи программирования микросхем постоянных ЗУ, программируемых и репрограммируемых

II. Параметры, характеризующие устойчивость БИС ЗУ к воздействиям предельных и максимальных (минимальных) электрических режимов

Предельное напряжение источника питания

U_{CC lim}

U_п.пред

U_{CC lim}

Допустимое значение напряжения питания за пределами рабочих режимов, при котором микросхема ЗУ не будет повреждена

Предельное входное (выходное) напряжение и ток

U_{I lim}

U_{вх.пред}

U_{I lim}

Допустимое отклонение напряжения (тока) за пределы рабочих режимов, при котором микросхема ЗУ не будет повреждена

(U_{0 lim})

(U_{вых.пред})

(U_{0 lim})

I_{I lim}

I_{вх.пред}

I_{I lim}

(I_{0 lim})

(I_{вых.пред})

(I_{0 lim})

Максимальное (минимальное) входное (выходное) напряжение и ток

U_{I max}

U_вх.max

U_{I max}

Максимальное (минимальное) значение величин, соответствующих предельно допустимым рабочим режимам микросхем

(U_{I min})

(U_вх.min)

(U_{I min})

U_{0 max}

U_вых.max

U_{0 max}

(U_{0 min})

(U_вых.min)

(U_{0 min})

I_{I max}

I_вх.max

I_{I max}

(I_{I min})

(I_вх.min)

(I_{I min})

I_{0 max}

I_вых.max

I_{0 max}

(I_{0 min})

(I_вых.min)

(I_{0 min})

Предельная емкость нагрузки

C_{L lim}

С_н.пред

C_{L lim}

Предельная емкость нагрузки, при которой гарантируется работоспособность микросхемы, .но не гарантируются ее временные параметры

Максимальная емкость нагрузки

C_{L max}

С_н.max

C_{L max}

Максимальная емкость нагрузки микросхемы, при которой гарантируются указанные в ТУ временные параметры

III. Параметры, определяемые технологией и конструкцией микросхемы

Ток утечки на входе (выходе) высокого уровня

I_LIH

I_LIH

Значение тока высокого уровня во входной (выходной) цепи микросхемы при закрытом входе (выходе) и заданных режимах на остальных выводах

(I_LOH)

()

(I_LOH)

Ток короткого замыкания на выходе

I_OS

I_к.з.

I_OS

Значение выходного тока при коротком замыкании выходного вывода микросхемы на общую шину