Изучение микропроцессора серии К580, страница 5

Исходные данные:

Адрес              Содержимое

000  200          135         (93)

000  201          252         (170)

Результат выполнения программы:

Адрес              Содержимое

000  200          115         (77)

Результат выполнения программы правильный.

Программа 3.2

Программа 3.2. реализует сложение двоично-десятичных чисел, одно из которых содержится в аккумуляторе. Сложение двоично-десятичных чисел производится аналогично обычному сложению, но после команды ADD стоит дополнительно команда DAA — команда двоично-десятичной коррекции.

Таблица 5.

Адреса (L)	Команды	Мнемоника команд	Комментарии
000	041	LXI H	;Загрузка начального адреса памяти:
001	200	B2	;000 200
002	000	B3
003	176	MOV A,M	;Перемещение из памяти в аккумулятор
004	043	INX H	; Формирование следующего адреса памяти
005	206	ADD M	;(A)+(M)->(A)
006	047	DAA	;Двоично-десятичная коррекция
007	167	MOV M,A	;Сохранение результата в памяти
010	166	HLT	;Останов

Исходные данные:

Адрес              Содержимое

000  200          044 (двоично-десятичное 24)       

000  201          111  (двоично-десятичное 49)     

Результат выполнения программы:

Адрес              Содержимое

000  201          163 (двоично-десятичное число 73)

Результат выполнения программы правильный.

Программа 3.3

Программа 3.3. реализует вычитание двоично-десятичных чисел. Для вычитания двоично-десятичных чисел необходимо производить преобразование вычитаемого в дополнительный код, потому что в противном случае команда DAA, применяемая после вычитания чисел, приводит к некорректным результатам.

Таблица 6.

Адреса (L)	Команды	Мнемоника команд	Комментарии
000	041	LXI H	;Загрузка начального адреса памяти:
001	200	B2	;000 200
002	000	B3
003	076	MVI A	;Перемещение двоично-десятичного числа 99 в аккумулятор: 231->A
004	231	B2
005	226	SUB M	;(A)-(M)->(A)
006	074	INR A	;Инкрементирование содержимого аккумулятора
007	043	INX H	; Формирование следующего адреса памяти
010	206	ADD M	;(A)+(M)->(A)
011	047	DDA	;Двоично-десятичная коррекция
012	043	INX H	; Формирование следующего адреса памяти
013	167	MOV M, A	;Перемещение из аккумулятора в память
014	166	HLT	;Останов