Структури базових логічних елементів, страница 6

Слiд зазначити, що в такому режимi вхiдний струм визначається зворотнiм струмом колекторного переходу VТ1. Транзистор VТ2 знаходиться в активному режимi, так як при закритому VТ1, VТ2 працює як пiдсилювач з глибоким зворотнiм зв’язком i напруга на його колекторi знаходиться по формулi[5]:

                                              UК2= ЕК – IЕ×RК2.

       Практично в такому ж станi схема буде залишатись в усьому дiапазонi напруг:

                                              0 < UВХ < Е0

При UВХ= Е0 починається процес перемикання струму в схемi і в данному спiввiдношеннi обидва транзистори знаходяться в активному режимi з однаковими напругами на колекторах. Активний режим буде забезпечуватись в деякому дiапазонi напруг при якому вхiдний струм пiдвищеться i буде визначатись величиною:

                                             IВХ=(UВХ –UБЕ.1)/(b+1)×RЕ.

Фактично в розглядаємiй схемi потенцiал Е0 являється пороговим рiвнем при якому проходить перемикання транзисторiв. Звiдси витiкають два важливих виводи:

·  в розглядаємiй схемi порог перемикання можна задавати на будь-якому (в межах напруги живлення) рiвнi;

·  порогова напруга являється не фiзичною характеристикою транзистора, а схемним параметром  (завжди).

При UВХ0, якщо Е0 - Uа< UБЕ2 (Uа = UВХ – UБЕ1) транзистор VT2 запирається і напруга на його колекторі рівняється ЕК а струм ІЕ замикається через VT1. При підвищенні вхідної напруги до ЕК  потенціал колектора VT1 буде мати величину меншу, ніж потенціал бази:

                        UБ = ЕК> UК1,

 

а це значить, що транзистор VT1 знаходиться в режимі насичення. Звідси витікає, що величина вхідного сигналу повинна бути меншою ніж ЕК і зменшена на величену UЕБ. Таке зниження досягається за допомогою емітерного повторювача на VT3, завдяки якому максимальне значення вхідногот сигналу

                             U1ВХ = EК – UБЕ.3,                                                                (2.13)

але з другої сторони це приведе до зміни вихідного сигналу схеми і нульовий рівень її

                             U0ВИХ = EК – 2UБЕ.3.                                                            (2.14)

Враховуючи, що з умов перешкодостійкості величини  відкриваючої та запираючої перешкод повинні бути одинаковими, з врахуванням (2.13) та (2.14) знаходимо величину порогової напруги:

                              E0 = ЕК - 3UБЕ/2                                                                  (2.15)

10.Приведений в (2.13) - (2.15) незначний діапазон напруг між “0” та “1” при достатньо високій напрузі живлення, як відмічалось вище - позитивна  особливість схеми. Вона являється  зрозумілою з фізичної точки зору, якщо враховувати, що вихідні умови і, відповідно, вхідні рівні формує емітерний повторювач.

Так як транзистори ключа не входять в режим насичення, то час зміни стану кожного з них визначається постійними часу колекторів транзисторів RКCК , що дає можливість забезпечити  швидкодію на межі можливого. (Порівняйте в прикладі 1 постійні часу RКCК  і tb).

2.2.2.  Ключі на польових транзисторах.

11.  Ключ з пасивним навантаженням.        Схемотехніка цифрових систем з використанням польових транзисторів інтенсивно розвивається і її використан-

                                                   Рис. 2.8.

ня швидко розширюється з низькочастотної електронної автоматики в такі галузі як вимірювальна та обчислювальна техніка завдяки ряду позитивних особливостєй цієї технології:                                           

·  низька залишкова напруга на відкритому ключі;

·  високій опір ключа в закритому стані;

·  низька споживаєма потужність ключа, яка обумовлена як особливостями транзистора так і схемотехніки;

·  можливість комутації електричних сигналів низьких рівнів;

·  висока технологічність побудови інтегральних схем;

·  площа інтегрального транзистора на кристалі значно меньше ніж біполярного, що дає можливість суттєво підвищувати ступінь інтеграції схем.