Структури базових логічних елементів, страница 18

Розв’язання.  Приведена схема заміщення може бути зображена в вигляді еквівалентної схеми, що приведена на рис. 2.28,б, де RE – еквівалентний опір, а UE – напруга еквівалентного генератора, яка рівна для розглядаємої схеми

   UE = (2кОм × 5 В)/(2+1)кОм = 3.33 В.

Струм короткого замикання:

 IК =5 В/ 1кОм = 5мА.

Еквівалентний опір двополюсника:

 RE = UE/ IК =667 Ом.

Якщо КМОН ключ на своєму виході має низький рівень, то в такому випадку вихідна напруга може бути обчислена по формулі:

       U0ВИХ = UE×Rn/(RE +Rn) =0.43 В.

Аналогічно, при високому вихідному рівні маємо:

       U1ВИХ = UE +(Е - UE)× RE/(Rp +RE) = 4.61В.

Реально в практиці проектування електронних схем немає можливості визначити реальні величини Rp і Rn і, відповідно, рівні вихідної напруги. Замість цього виробники задають максимальну величину навантаження в кожному з станів інвертора і гарантують в найгіршому випадку необхідну напругу на навантаженні. Навантаження визначається величинами струму:

 I0ВИХ.МАКС.  - максимальний струм, який вихід мікросхеми може сприймати в низькому стані, при якому забезпечується вихідна напруга, не більша ніж U0ВИХ.МАКС

I1ВИХ.МАКС.  - максимальний струм, який вихід може генерувати в високому стані при забезпеченні мінімальної вихідної напруги, не меншої ніж  U1ВИХ.МІН

Оцінити величини Rp і Rn можна приблизно по паспортних параметрах мікросхеми:

Rp =(E - U1ВИХ.МІН)/ I1ВИХ.МАКС;

Rn = U0ВИХ.МАКС/ I0ВИХ.МАКС.

Розглянуті особливості роботи КМОН ІС справедливі, якщо рівні вхідних сигналів відповідають паспортним значенням. Якщо ж вхідна напруга не відповідає рівням шин живлення, то транзистори можуть неповністю відкриватись і закриватись. Тому в закритому стані опір транзистора може бути меншим, ніж 1 мОм, а в відкритому – більшим. Це приводить до зростання падіння напруги на них і, відповідно, стандартні рівні вихідної напруги можуть вийти за допустимі межі. Такі проблеми не з’являються в схемах,  в яких використовуються лише КМОН ІС, але при побудові схемотехніки на комбінації ТТЛ-КМОН, такі ситуації необхідно передбачати і не допускати.

Часові параметри. Вони визначаються тривалістю фронтів t01, t10 перемикання ключа, які, в свою чергу, повністю залежать від величин паразитних ємностей. Найбільший вплив серед них мають:

·  Ємності вхідних кіл, які для типових КМОН ІС мають величини 2-10 пФ;

·  Ємності з’єднуючих провідників, що мають розміри до 0.4 пФ на 1 сантиметр провідника;

·  Ємності вхідних кіл, що мають величини 2-15 пФ.

 Визначення тривалості фронтів може бути виконаний на основі аналізу перехідних процесів перемикання ключа. Останній проводиться на основі схеми заміщення

           Рис.2.29.       інвертора, що приведена на рис. 2.29, в якій навантаження моделюється елементами RE, UE і С

Розглянемо процес перемикання для випадку, коли КМОН ключ працює в оточенні аналогічних мікросхем. Це дає право вважати, що  RE = ¥ і UE =0. Перехідні процеси для оцінки тривалості фронтів розглядаються при умові миттєвого перемикання ключа з одного стану в інший. Якщо ключ знаходиться в стані забезпечення високого вихідного рівня, то конденсатор С буде знаходитись в в зарядженому стані з напругою Е. При переході ключа з високого рівня до низького почне розряжатись на опір  Rn по закону:

UC = E×ехр(-t/Rn×C).

 Якщо прийняти Е = 5В, Rn =100 Ом, С = 100 пФ, а напругу низького порогового рівня UПН =0.3Е = 1.5 В, то час перемикання буде мати величину:

tC = t10 =(Rn×C)ln(UПН/E) = 3.6 нС.

При переході ключа з низького вихідного рівня до високого конденсатор буде заряджатись від джерела живлення і напруга на ньому буде змінюватись по закону:

UC =E(1-exp(-t/RpC),

тому тривалість фронту, обчислюєма від нуля напруги до 0.7Е для Rp =200 Ом і С =100пФ буде:

tФ = t01 = (Rn×C)ln ((Е-0.7Е)/E) =7.1 нС.

Якщо оцінювати тривалості tФ і tC не по пороговим рівням, а по їх максимальним значенням, то можна найти , що tC =12 нС, а tФ =24 н, що дає можливість оцінку тривалості фрону і спаду  робити по постійним часу заряду- розряду конденсатора: Rn×C =10 нС і Rр×C =20 нС.