Загальна характеристика запам’ятовуючих пристроїв. Принципи побудови мікросхем статичних ОЗП. Нарощування інформаційної ємності запом'ятовуючих пристроїв. Регістрові оперативні запам’ятовуючі пристрої, страница 4

регенерація заряду конденсатора так як завдяки наявності паразитних каналів, з’являються струми, які зменшують заряд конденсатора. Регене- рація  забезпечується за рахунок переодічних циклів регенерації, за час дії яких інформація зчитується, а потім знову записується. Періодичність відтворення інформації називається періодом регенерації – Т_рег. Тривалість Т_рег. дорівнює тривалості циклів зчитування або запису інформації. З цього витікає, що регенерація пам’яті виконується кожного разу при звернені до ОЗП.

       Приклад мікросхеми динамічного ОЗП являється мікросхема К565РУ5

ємністю 64 Кб (рис.6.8). 

Для адресації 64К елементів пам’яті необхідно мати 16 розрядний адресний код. В розглядаємій міросхемі маємо лише 8 адресних розрядів. З метою зменшеня виводів код адреси вводяться в два етапи-спочатку вводяться  8 молодших розрядів А₀-А₇, супрводжуючи їх стробуючим сигналом RAS (row  adress strob ), а потім 8 старших розрядів А₈-А₁₅ з стробуючим сигналом CAS (coloumn adress strob). В структурі мікросхеми коди адреси рядків та стовбців фіксуються в відповідних адресних регістрах і виконують виборку адресуємого елемента пам’яті.

          Для формування внутрішніх керуючих сигналів використовується схема, що створює ряд сигналів, формуємих в заданій послідовності. Зовні ця схема управляється сигналами RAS, CAS, W/R. В залежності від комбінації вхідних сигналів мікросхема працює в режимах, відображених в табл.6.2

                                                                         Табл.6.2.

          Часові співвідношення між сигналами в кожному з режимів роботи задаються відповідними часовими діаграмами.

6.5.Постійні запам’ятовуючі пристрої (ПЗП)

ПЗП – пристрої пам’яті, в яких записана інформація не може бути змінена процесором під час виконання програми і зберігається при відсутності живлення.

Базові типи ПЗП зручно розподілити у відповідності до приведеної нижче структурної схеми

Рис.6. 9

ЕППЗП – прогрвмуємі з допомогою електричних сигналів ПЗП.

ОППЗП – одноразово програмуємі ПЗП.

РППЗП – репрограмуємі з допомогою електричних сигналів.

ДДМНОН структури – МНОПН структури з використанням двошарових діелектриків.

ЛІМОН – ПЗ лавино – інжекційні структури з плаваючим затвором.

Масочні ПЗП – це пристрої пам’яті, які є однократно програ­муємими виготовлювачем по принципу заказного фотошаблона (маски).

Всі інші ПЗП (ЕППЗП) програмуються користувачем з допомогою спеціальних програматорів.

Загальною властивістю всіх мікросхем ПЗП є їх багаторозрядна організація, наявність тільки одного режиму роботи – режиму зчиту­вання та енергозалежність.

В загальному виді структура ПЗП відповідає  рис.6.10

Рис. 6.10

Для вибірки слова використовується восьмирозрядний код адре­си А₀ – А₇, який подається на адресний підсилювач – формувач АПФ. АПФ необхідний для узгодження сигналів на адресних шинах з сиг­налами, що використовуються в мікросхемі.

З АПФ старші розряди подаються на дешифратор DCХ, де деко­дуються у відповідний рядок запам’ятовуючої матриці. Для зчитування інформації цього рядка використовується схема виборки та дешифрації по Y. Дешифратор DCY дешифрує молодші три розряди у виборку одно­го з восьми стовпців в кожній з чотирьох секцій матриці. Виборка відповідного стовпця виконується з допомогою транзисторних ключів, які відкриваються й передають відповідне значення елемента пам’яті на вхід підсилювача відповідного розряду вихідного чотирьох­розрядного слова. Підсилювачі викликаються при ₁=₂ = 0.