Элементы и детали электронных и микроэлектронных устройств

Страницы работы

Содержание работы

Элементы и детали электронных и микроэлектронных устройств.

Резисторы. Различают по конструкции малой и большой мощности, плёночные и проволочные; по мощности: - 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2 Вт и далее - 5; 10; 15; 20; 25; 50; 100; постоянного и переменного сопротивления, подстроечные. Основные характеристики: - номинальное сопротивление; допустимое отклонение; температурный коэффициент сопротивления. МЛТ- 2 1,5 к ±10%. ПЭВР- 100- 3,9 к ±10%.

Конденсаторы.

Различают по виду диэлектрика- воздушные, бумажные, плёночные,керамические, слюдяные, электролитические. Основные параметры: номинальное напряжение; номинальная ёмкость; размер конденсаторов; ТКЕ. КМ- 5а м75 130пФ ±5%; К50-6-10В-20мкФ ±20%.

Электровакуумные приборы.

Различают электронные лампы усилительные, генераторные, электроннолучевые трубки (ЭЛТ). Принцип действия основан на управлении потоком электронов, которые вылетают из подогретого катода и под действием положительного потенциала устремляются к аноду. Основные параметры- ток, напряжение имощность накала. Ток, напряжение анода и мощность, рассеиваемая на аноде. В лампах есть одна или несколько сеток, изменяя напряжение на сетке можно управлять потоком электронов. Крутизна анодно-сеточной характерристики S mA/В. Коэффициент усиления m- сетка расположенаближе чем анод, напряжение Uc влияет в большей степени. В генраторном режиме нагрузкой для ламп служат колебательные контура, часть напряжения с которого по цепи  обратной связи подаётся на сетку, что приводит к возникновению незатухающих колебаний. Для генератора СВЧ используют магнетрон, в котором поток электронов на пути с катода к аноду завихряется в поле постоянного магнита.ЭЛТ и кинескопах поток электронов формируется в узкий пучок, котрый с помощью отклоняющей системы перемещается по аноду, выполненному в виде экрана и покрытому люминофором.

Полупроводниковые материалы.

Основой полупроводников служит n-p переход.Полупроводник обладает небольшой собственной проводимостью, обусловленной дефектами кристаллической структуры.Механизм проводимости электронный и дырочнвй, для созлания полупроводниковых приборов вводят примеси трёх ипяти валентныхэлементов.Проводимость- электронная n, дырочная р. граница раздела n-p перехода обладает односторонней проводимостью. Прямая- электроны и дырки движутся навстречу и рекомбинируют, обратная- расходятся и образуется непроводящая зона. По ГОСТ 10862-72 полупрводниковые приборы обозначаются: Г(1)- германиевый; К(2)- кремниевый; А(3)-арсенид галия; Д-диод выпрямительный, универсальный, импульсный; Ц- выпрямительные мосты и столбики;А- СВЧ; В- варикап; И- тунельный или обращённый; Л- излучающий; Н- динистор- диодные тиристоры; КУ- тиристоры триодные; С- стабилитроны.

Определяющие характеристики.

Допустимый средний прявой ток через n-p переход; допустимое обратное амплитудное напряжение; допустимая рассеиваемая мощность; время рекомбинации; граничная частота; цвет и яркость. 

Параметры управляющего импульса. Допустимый прямой ток и обратное напряжение.

Запираемые тиристоры- семисторы. Номинальное напряжение DUст, Iст.min, Iст.max.

Транзистор(биполярный).

Прибор с двумя n-p перходами и тремя выводами, имеют структуру p-n-p или n-p-n. К эмитерному переходу приложено прямое напряжение, к коллекторному- обратное. Работу транзистора рассмотрим на примере n-p-n. На материал базы с небольшой концентрцией примеси акцептора наплавляются с двух сторон таблетки донорной примеси, причём в эмитерной зоне- наибольшая концентрация примесей. Под действием положительного потенциала электроны из области эмитера, где наибольшая их концентрация, проникают в область базы, где они хотели-бы рекомбинировать с дырками. Однако дырок сдсь не много, а толщина базы очень мала и они увлекаются более высоким потенциалом колектора. Незначительная часть электронов рекомбинирует с дырками в области базы, при этом пртекает небольшой ток базы. Небольшое изменение потенциала базы относительно эмитера рпиводят к значительным изменениям эмитерного и колекторнго тока при незначительных изменениях базового тока, можно сказать, что потенциал базы управляет потоком электронов от эмитера к колектору.

Классификация по мощнсти: маломощные < 0,3 Вт; средней мощности 0,3 <P<1,5; большой мощности Р> 1,5 Вт.

Классификация по граничной частоте усиливаемого сигнала: НЧ< 3мгц;СЧ от 3 до 30 Мгц; для улучшения теплоотвода транзисторов ВЧ от 30 до 300 МГЦ; СВЧ < 300 МГЦ.для транзисторов средней и большой мощности используют радиаторы.

                                                                                                                                    Таблица4.

ММ

СМ

БМ

НЧ

101 ... 199

401 ... 499

701 ... 799

СЧ

201 ... 299

501 ... 599

801 ... 899

ВЧ

301 ... 399

601 ... 699

901 ... 999

Полевой транзистор.

С управляющим p-n прерходом. С изолированным затвором. Полупроводниковая пластина, с торцовкоторой сделали выводы- сток и исток, а в центральной части наплавлено акцепторное вещество. Оюразованный таким образом p-n переход находится под обратным напряжением, образуется слой, обеднённый носителями заряда. Под действием положительного потенциала стока относительно истока возникает поток электронов по проводящему каналу,при изменении потенциала затвора  уменьшается ширина обеднённого слоя в p-nереходе, а следовательно и ширина и проводимость канала. Таким боразом потенциал затвора управляет потоком электронов от истока к стоку. Полевые транзисторы с изолированным затвором иногда называют МДП- металл- диэлектрик- проводник, чаще всего диэлектрик- тонкая плёнка окиси кремния . Такая структура называется МОП- транзистором(может быть со встроенным и индуцированным каналом). Проводимость канала между истоком и стоком изменяется под действием электрического поля, создаваемого напряжением между затвором и подложкой. Система обозначения такая же как и у биполярных транзисторов но вторая буква П ( КП350В).

Похожие материалы

Информация о работе