Розрахунок транзисторних ключових каскадів, страница 7

Рисунок 3.5 – Розподіл струмів і напруг при Uвх.викл = 20 В

Умова режиму насичення транзистора:

                                                 b×IБ ³ IКн,                                                                                    (3.2)

тобто IБ ³ 0,09 мА. З рис.3.5 випливає:

                                               IБ =Iвх Iзс,                                                                                   (3.3)

де

                                        Iвх =(Uвх.викл – UБЕ нас)/R                                      (3.4)

                                        Iзс =(UБЕ нас + Uзс)/Rзс                                          (3.5)

З (3.2) з урахуванням (3.3)–(3.5) отримуємо:

Нехай Rзс = 1 кОм, тоді R ≤ 9,6 кОм.

При визначенні меж значень опору резистора R для забезпечення режиму відсічення розглянемо найгіршу ситуацію Uвх.вкл = 15B (рис.3.6).

Умова перебування транзистора в режимі відсічення

                                               UБЕ £0,                                                       (3.6)

де

         UБЕ = Uвх.вкл Rзс / (R+Rзс) – UзсR / (R+Rзс) +IК0 RRзс / (R+ Rзс).       (3.7)


Рисунок 3.6 – Розподіл струмів і напруг при Uвх.вкл = 15 В

З (3.6) і (3.7) випливає:

,

тобто R ≤ 11.5 кОм.

Оскільки значення опору R для режиму насичення має задовольняти умові R ≤ 9,6 кОм, виберемо таке значення, що буде задовольняти режимові насичення і відсічення. Нехай R = 8,2 кОм.