Разработка микропроцессорной системы управления ответственным объектом, страница 3

В тестовом режиме ГТ отключает вычислительные каналы от ОУ и имитирует ОУ, посылая сигналы X’ вместо X. Работа вычислительных каналов и безопасных схем сравнения при этом ничем не отличается от их работы в рабочем режиме.


Рисунок 1 - Структурная схема МПС


2 Выбор элементной базы МПС

2.1 Выбор элементной базы вычислительного канала

2.1.1 Микропроцессор КР580ВМ80

Микропроцессор КР580ВМ80 является однокристальным восьмиразрядным микропроцессором, выполненного по технологии n-МОП [4]. Для работы КР580ВМ80 необходимы три источника питания: -5 В, +5 В, +12В. Кристалл микропроцессора, содержащий около 5000 транзисторов, расположен в корпусе, имеющем 40 выводов [3]. КР580ВМ80 обладает однонаправленная шестнадцатиразрядная шина адреса и двунаправленная восьмиразрядная шина данных. Кроме этого имеется 12 сигнальных линий (шесть входных и шесть выходных).

Наличие шестнадцатиразрядной шины адреса позволяет адресовать 64 Кбайта памяти. Используя сигнальные линии INT и INTA в МПС можно применить контроллер прерываний, а благодаря наличию линий HOLD и HLDA можно организовать режим прямого доступа к памяти. Для работы с медленнодействующими модулями памяти используется сигнал XACK.

Для синхронизации работы процессора с памятью и другими внешними устройствами применяется генератор тактовых импульсов КР580ГФ24. Частота следования синхроимпульсов F1 и F2 в девять раз меньше частоты кварцевого резонатора. Для получения оптимальной для микропроцессора тактовой частоты 2 МГц используется кварцевый резонатор частотой 18 МГц. Сопротивление кварцевого резонатора носит индуктивный характер. Это приводит к нестабильной работе генератора. Для компенсации ёмкостной составляющей резонатора последовательно с ним включается конденсатор емкостью 20 пФ [1].

Для обеспечения достаточной нагрузочной способности шин микропроцессора необходимо применить шинные формирователи. В качестве таковых будем использовать регистры КР580ИР82.


2.1.2 Разработка подсистемы ПЗУ и ОЗУ

Исходные данные для организации подсистемы ПЗУ и ОЗУ приведены в таблице 1.

Таблица 1

Тип памяти

Емкость, Кбайт

Организация БИС

Входы выборки кристалла

Использование READY

Тип БИС

ПЗУ

2

1024*4

CS0, CS1

Нет

КР556ЗЕ13

ОЗУ

4

2К*8

CS0, CS1

Нет

КР537РУ8

Исходя из таблицы 1 делаем вывод, емкость ПЗУ нужно наращивать по смешанному (вертикально-горизонтальному) типу, а ОЗУ – по горизонтальному. Нет необходимости использовать сигнал READY так как БИС обладают достаточным быстродействием.

Для организации выбора БИС в качестве дешифратора применим БИС ПЗУ К556РТ5, запрограммированной в соответствии с таблицей 2.

Таблица 2

Адресное пространство

БИС

Адрес ПЗУ

Данные в ПЗУ

0000 – 03FF

ПЗУ1, ПЗУ2 (чтение)

01

07F

0400 – 07FF

ПЗУ3, ПЗУ4 (чтение)

05

0BF

0800 – 0FFF

ОЗУ1 (чтение)

09, 0D

0DF

ОЗУ1 (запись)

0A, 0E

0D0

1000 – 17FF

ОЗУ2 (чтение)

11, 15

0EF

ОЗУ2 (запись)

12, 16

0E0

Для обращения к внутренним регистрам периферийных БИС будем использовать команды чтения/записи из/в память. Выбор соответствующих БИС (ППА, ПСА, ПИТ, ПКП, регистры для индикации - РИ и ввода кода уставки - РК) будем осуществлять при помощи дешифратора К155ИД3. Каждой БИС соответствует четыре байта в ОЗУ. Адреса ОЗУ для обращения к регистрам БИС приведены в таблице 3.


Таблица 3

Адресное пространство

Периферийная БИС

8000 – 8003

ПКП

8004 – 8007

ППА

8008 – 800B

ПСА

800C – 800F

ПИТ

8010 – 8013

РИ1

8014 – 8017

РИ2

8018 – 801B

РИ3

801C – 801F

РИ4

8020 – 8023

РК

8024 - 8028

Выходной регистр


2.1.3 Программируемый периферийный адаптер